无污染激光器反射镜的获得方法及其钝化

摘要

本发明涉及一种在GaAs基激光腔的晶体反射镜端面处获得包括GaAs，GaAlAs，InGaAs，InGaAsP和InGaAs组成的组中选择出的一种材料的无污染表面的方法。切除暴露于环境大气的晶体反射镜端面，其中环境大气包括从空气，干空气和干氮氛围组成的组中选择出的一种物质。通过在真空中进行干蚀刻，去除反射镜端面暴露于环境大气期间获得的所有氧化物和其他外界污染物。之后，通过用氮进行处理在反射镜端面(7)上生长天然氮化物层(8)。

主权项

1.一种在用于激光器腔的晶体反射镜端面处提供III-V半导体的改善的表面的方法，包括：提供包含III-V半导体材料层的晶片；在环境大气中切割晶片以产生具有至少一个发射器的阵列，该阵列具有至少一个晶体反射镜端面，其中切割晶片将反应原子留在了切割部位；通过以真空中的离子束来可控地供应氮离子从而从该至少一个晶体反射镜端面去除与反应原子形成的氧化物和其它表面污染物；在去除氧化物的步骤期间，与在该至少一个晶体反射镜端面上的反应原子形成第一氮化物；其中，第一氮化物包括天然氮化化合物，每一天然氮化化合物至少包括一III族元素和氮；以及其中，天然氮化化合物第一氮化物中的大多数氮是通过以氮离子束来可控地供应氮而提供的，其中氮离子束是以能量范围在1-1000eV的能量离子操作的。