| 发明名称 | 氧化锌基薄膜晶体管及芯片制备工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种应用新型高介电常数(κ)材料－立方镁锌氧(ZnMgO)晶体薄膜做栅绝缘层、六方相ZnO基半导体纳米薄膜做沟道层、氧化铟锡(ITO)或掺铝氧化锌(ZnO：Al)导电玻璃做电极的薄膜晶体管(TFT)的制备工艺，属于微电子技术领域。其优点是能直接在玻璃衬底上低温生长有源层与栅绝缘层器件结构，提供一种简便地TFT制造工艺，与现有的非晶或多晶硅TFT相比，氧化锌基TFT具有对可见光透明、迁移率高等特点。在平板显示，打印机、复印机和摄像机等产品中具有重要的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN1862834A | 申请公布日期 | 2006.11.15 |
| 申请号 | CN200610050305.9 | 申请日期 | 2006.04.11 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 吴惠桢;余萍;梁军;徐天宁 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01);C23F1/16(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 杭州中成专利事务所有限公司 | 代理人 | 盛辉地 |
| 主权项 | 1.一种氧化锌基薄膜晶体管，包括外壳、引出电极、栅绝缘层、薄膜沟道层、源漏电极、栅电极，其特征在于，所述沟道层为透明氧化锌基半导体纳米薄膜，栅绝缘层为高κ纳米薄膜。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市西湖区玉古路20号 | ||