| 发明名称 | 半导体器件以及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体器件以及半导体器件的制造方法，减少WP工序中的晶体管的特性变化和栅氧化膜的劣化。本发明的半导体器件具有：具有SOI晶体管的半导体芯片，在该SOI晶体管中，具有沟道区和夹着上述沟道区的扩散区的半导体层与元件分离层隔着第一绝缘层在支撑基板上形成，在半导体层上的沟道区上隔着第二绝缘层形成栅电极；且半导体芯片的第一表面上具有与SOI晶体管电气连接的第一电极焊盘和与支撑基板电气连接的第二电极焊盘。 | ||
| 申请公布号 | CN1862821A | 申请公布日期 | 2006.11.15 |
| 申请号 | CN200610068047.7 | 申请日期 | 2006.03.24 |
| 申请人 | 冲电气工业株式会社 | 发明人 | 闲野义则 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L23/482(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 岳耀锋 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于：是具有SOI晶体管的半导体芯片，在该SOI晶体管中，具有沟道区和夹着上述沟道区的扩散区的半导体层与元件分离层隔着第一绝缘层在支撑基板上形成，在上述半导体层上的上述沟道区上隔着第二绝缘层形成栅电极，且上述半导体芯片的第一表面上形成与上述SOI晶体管电气连接的第一电极焊盘和与上述支撑基板电气连接的第二电极焊盘。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||