发明名称 一种制作聚合物自支撑纳微米线的方法
摘要 本发明涉及一种制作聚合物自支撑纳微米线的方法,属于聚合物微结构材料技术领域。首先制作具有起伏条纹微图案表面的母板;将聚二甲基硅氧烷的硅胶预聚体和硅胶交联剂混合均匀,浇注到上述母板表面上,固化后揭去母板,得到聚合物软印章;聚合物溶解在溶剂中作为墨水溶液,将软印章浸入墨水溶液中,然后将该软印章压印在基板上,揭起软印章,在基板上得到由墨水溶液固化后的聚合物的起伏条纹微图案;用氢氟酸水溶液刻蚀基板,得到聚合物自支撑纳微米线。用本发明的方法取代常规工艺制作聚合物自支撑纳微米线(包括聚合物微导线),具有工艺简单、成本低、高效可控和适用广泛等优点。
申请公布号 CN1862379A 申请公布日期 2006.11.15
申请号 CN200610075663.5 申请日期 2006.04.18
申请人 清华大学 发明人 刘斌;和亚宁;王晓工
分类号 G03F7/00(2006.01) 主分类号 G03F7/00(2006.01)
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所 代理人 罗文群
主权项 1、一种制作聚合物自支撑纳微米线的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)制作具有起伏条纹微图案表面的母板;(2)制作软印章:将聚二甲基硅氧烷的硅胶预聚体和硅胶交联剂按质量比3∶1~20∶1混合均匀,浇注到上述母板表面上,静置4~10分钟后,加热至40℃~80℃,反应1~8小时,固化后揭去母板,得到软印章;(3)压印墨水溶液:将上述软印章浸入墨水溶液中,然后将该软印章压印在基板上,揭起软印章,在基板上得到由墨水溶液固化后的聚合物的起伏条纹微图案;(4)刻蚀基板:用氢氟酸水溶液刻蚀基板,得到聚合物自支撑纳微米线。
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