制造碳化硅单晶的方法和用于制造碳化硅单晶的装置

摘要

一种用于制造SiC单晶的装置，包括：一Si设置部分，其中放有固态硅；一籽晶设置部分，其中放有SiC的籽晶；一合成容器，适合于容纳Si设置部分、籽晶设置部分和碳；加热构件，适合于加热Si设置部分和籽晶设置部分；和一控制部分，用于向加热构件输送一指令，以将硅加热到硅的蒸发温度或更高，和将籽晶加热到高于Si的温度；其中，由加热构件蒸发的Si适于达到籽晶设置部分；以及在所述硅设置部分内布置的所述硅的一上表面上布置有一由碳、石英或SiC制成的屏障，它上面具有通孔，允许由所述加热构件蒸发的硅从此经过。本发明还涉及制造SiC单晶的方法。

主权项

1.一种制造SiC单晶的方法，包括：一设置步骤，将固态Si设置在一第一温度区域T1内，和将一SiC籽晶设置在一比所述第一温度区域T1高的第二温度区域T2内；一Si蒸发步骤，从所述第一温度区域T1蒸发Si；一SiC形成气体生成步骤，通过使所述蒸发的硅与碳反应生成SiC形成气体；和一单晶形成步骤，使所述SiC形成气体到达所述籽晶，以形成所述SiC单晶，其中，一由碳、石英或SiC制成的屏障布置在所述第一温度区域T1内的所述固态Si的上表面；所述屏障控制所述Si的蒸气压。