| 发明名称 | 闪存器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种闪存器件及其制造方法。所述器件包括完全围绕浮置栅极的顶部及侧部所形成的控制栅极。所述控制栅极位于在字线方向相邻的浮置栅极、以及在位线方向相邻的浮置栅极之间。本闪存器件减少由于浮置栅极之间的干扰所产生的阈值电压偏移，且还增加了浮置栅极与控制栅极的重叠区域。因此，存在可以增加耦合比的效应。 | ||
| 申请公布号 | CN1862836A | 申请公布日期 | 2006.11.15 |
| 申请号 | CN200510118158.X | 申请日期 | 2005.10.26 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金基锡 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01);H01L29/40(2006.01);H01L27/105(2006.01);H01L21/283(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8239(2006.01) | 主分类号 | H01L29/788(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种闪存器件，包括：一半导体衬底；一隧道介电薄膜，形成于所述半导体衬底上；诸浮置栅极，形成于所述隧道介电薄膜上并在一单元基材上以岛状分开；一层间介电薄膜，形成于包括所述浮置栅极的整个表面上；以及诸控制栅极，形成于所述层间介电薄膜上并在第一方向排列而且围绕所述浮置栅极的顶部及侧部。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||