高压半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种高压半导体器件以及制造该高压半导体器件的方法。例如，对上述器件和方法而言，通过掺入第一杂质在半导体衬底中形成具有第一深度的漂移区。漂移区彼此隔开以在漂移区之间界定沟道区。通过掺杂第二杂质在所述漂移区的第一部分形成具有第二深度的源极/漏极区。通过掺杂第三杂质在与所述源极/漏极区相邻的漂移区的第二部分形成具有第三深度的杂质积累区。在半导体衬底上形成栅极绝缘层图案以部分地暴露源极/漏极区。在沟道区所处的栅极绝缘层图案的一部分上形成栅极导电层图案。在栅极结构和栅极绝缘层图案上形成能够防止电流迅速增大的缓冲层。

主权项

1.一种高压半导体器件，其包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的多个漂移区，所述多个漂移区的每个均具有第一杂质、第一杂质浓度和第一深度，其中所述漂移区彼此分开以在所述漂移区之间界定沟道区；形成于所述漂移区的第一部分的源极区和漏极区，所形成的所述源极区和所述漏极区均具有第二杂质、第二杂质浓度和第二深度，其中所述源极/漏极区的所述第二深度基本小于所述第一深度；多个杂质积累区，形成于和所述源极/漏极区相邻的所述漂移区的第二部分，所形成的所述多个杂质积累区的每个均具有第三杂质、第三杂质浓度和第三深度，其中所述杂质积累区的所述第三深度基本小于所述第一深度；形成所述半导体衬底上的栅极结构，其中所述栅极结构包括栅极绝缘层图案和栅极导电层图案，所述栅极绝缘层图案形成于所述半导体衬底上以部分地暴露所述源极/漏极区，所述栅极导电层图案形成于所述沟道区所处的所述栅极绝缘层图案的一部分上；以及形成于所述栅极结构上的缓冲层。