发明名称 | 施行最终临界尺寸控制的方法及装置 | ||
摘要 | 本发明提供一种在半导体晶片(105)制造过程期间,控制最终临界尺寸的方法及装置。其系处理半导体元件(105)的制造作业。由所处理的半导体元件(105),获取计量数据。用所获取的计量数据,施行最终临界尺寸控制调整工艺。响应该最终临界尺寸控制调整工艺,施行反馈/前馈修正工艺。 | ||
申请公布号 | CN1285109C | 申请公布日期 | 2006.11.15 |
申请号 | CN01814585.X | 申请日期 | 2001.07.18 |
申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | G·古德温 |
分类号 | H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
主权项 | 1.一种施行最终临界尺寸控制的方法,包含:施行至少一金属沉积工艺、光刻法工艺或蚀刻工艺于半导体晶片(105);从该半导体晶片(105),获取计量数据,所述计量数据与该工艺步骤相关;用该获取的计量数据,施行最终临界尺寸控制调整工艺,其中施行最终临界尺寸控制调整工艺还包括将与该工艺步骤相关的该计量数据与该半导体晶片予以关联;根据该计量数据与该半导体晶片的关联计算最终尺寸误差,并响应于计算最终尺寸误差修正至少一用于该半导体晶片的控制输入参数,以趋近目标临界尺寸;以及在响应该最终临界尺寸控制调整工艺之下,提供至少一反馈和前馈调整数据。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |