| 发明名称 | 具有隧道式MIS发射结的异质结双极晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于高性能异质结双极晶体管的方法和结构，该晶体管适用于化合物半导体系统(例如砷化镓(GaAs))，并且该晶体管利用了由多个金属层和多个超薄绝缘层形成的发射结。所选择的金属层具有功函数，当沉积在超薄绝缘层之上时，形成了隧道式金属－绝缘体－半导体结。该绝缘层可以由稀土氧化物(例如氧化钆(Gd<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>))制成，其在化合物半导体基板上外延地生长，并且可覆盖有第二超薄绝缘层。 | ||
| 申请公布号 | CN1864268A | 申请公布日期 | 2006.11.15 |
| 申请号 | CN200480029064.9 | 申请日期 | 2004.09.02 |
| 申请人 | 埃皮泰克帝斯克有限公司 | 发明人 | 肖恩·约瑟夫·坎宁安 |
| 分类号 | H01L29/737(2006.01);H01L21/331(2006.01) | 主分类号 | H01L29/737(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲 |
| 主权项 | 1.一种适用于化合物半导体金属-绝缘体-半导体装置的分层材料设置，包括超薄绝缘层。 | ||
| 地址 | 澳大利亚新南威尔士 | ||