发明名称 |
相位偏移光掩模坯料、相位偏移光掩模及其制造方法 |
摘要 |
在对曝光光线透明的基板(1)上设置层合2层由金属硅化物的化合物(2a、2b)组成的层的相位偏移多层膜(2)。而且,在表面侧的金属硅化物的化合物(2b)表面上形成氧化稳定化层(2c)。相位偏移多层膜(2)中基板侧(下面)的层(2a)是金属组成相对高的金属硅化物的化合物,上面的层(2b)是金属组成相对低的金属硅化物的化合物。氧化稳定化层(2c)的金属含量为下面的层(2a)的金属含量的1/3或1/3以下(摩尔比),为低金属组成,化学稳定性优异,显示高耐药品性。下面的层(2a)由具有较高金属含量的金属硅化物的化合物膜构成,因此,容易控制相位偏移多层膜的光学特性,能得到所希望的光学特性。 |
申请公布号 |
CN1862377A |
申请公布日期 |
2006.11.15 |
申请号 |
CN200610076905.2 |
申请日期 |
2006.04.25 |
申请人 |
信越化学工业株式会社 |
发明人 |
稻月判臣;吉川博树;丸山保;冈崎智 |
分类号 |
G03F1/14(2006.01);G03F1/00(2006.01);C23C14/00(2006.01) |
主分类号 |
G03F1/14(2006.01) |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 |
代理人 |
杨宏军 |
主权项 |
1、一种相位偏移掩模坯料,该掩模坯料具有层合n层由金属硅化物的化合物组成的层而构成的相位偏移多层膜和设置在该相位偏移多层膜的最表面的氧化稳定化层,从上述相位偏移多层膜的基板侧开始的第m层和第(m+1)层的金属及硅的组成变化量都小于或等于5摩尔%,同时,上述氧化稳定化层表面区域的金属含量为上述相位偏移多层膜中含金属最多的层的金属含量的1/3或1/3以下(摩尔比),此处,n为大于或等于2的整数,m为满足1≤m≤(n-1)的整数。 |
地址 |
日本东京都 |