| 主权项 |
1.一种输出驱动器电路,包括:一主输出驱动器;一副输出驱动器,该主输出驱动器以及该副输出驱动器在一输出端上具有输出,在一输入端上具有输入;以及一回转率控制电路,用以禁能(disable)该副输出驱动器,以回应在该输出端上一信号。2.如申请专利范围第1项所述之输出驱动器电路,其中该主输出驱动器包括:一第一上拉输出电晶体,耦接于一第一供应端以及该输出端之间,该第一上拉输出电晶体具有一控制端耦接至该输入端;以及一第一下拉输出电晶体,耦接于一第二供应端以及该输出端之间,该第一下拉输出电晶体具有一控制端耦接至该输入端;以及其中该副输出驱动器包括:一第二上拉输出电晶体,耦接于该第一供应端以及该输出端之间,该第二上拉输出电晶体具有一控制端耦接至该输入端;以及一第二下拉输出电晶体,耦接于该第二供应端以及该输出端之间,该第二下拉输出电晶体具有一控制端耦接至该输入端。3.如申请专利范围第2项所述之输出驱动器电路,其中该回转率控制电路包括:一第一回转率控制电晶体,耦接于该第二上拉输出电晶体以及该第一供应端之间,该第一回转率控制电晶体具有一控制端耦接至该输出端;以及一第二回转率控制电晶体,耦接于该第二下拉输出电晶体以及该第二供应端之间,该第二回转率控制电晶体具有一控制端耦接至该输出端。4.如申请专利范围第3项所述之输出驱动器电路,其中该第一回转率控制电晶体包括一PMOS电晶体,且该第二回转率控制电晶体包括一NMOS电晶体。5.如申请专利范围第2项所述之输出驱动器电路,其中该副输出驱动器具有比该主输出驱动器更强的驱动能力。6.如申请专利范围第5项所述之输出驱动器电路,其中该第二上拉输出电晶体比该第一上拉输出电晶体大,且该第二下拉输出电晶体比该第一下拉输出电晶体大。7.如申请专利范围第1项所述之输出驱动器电路,其中该回转率控制电路包括:一第一回转率控制电晶体,耦接于该副输出驱动器以及一第一供应端之间,该第一回转率控制电晶体具有一控制端耦接至该输出端;以及一第二回转率控制电晶体,耦接于该副输出驱动器以及一第二供应端之间,该第二回转率控制电晶体具有一控制端耦接至该输出端。8.如申请专利范围第7项所述之输出驱动器电路,其中该主输出驱动器包括一第一CMOS驱动器耦接于该第一供应端以及该第二供应端之间,并且具有一输入耦接至该输入端以及一输出耦接至该输出端;以及其中该副输出驱动器包括一第二CMOS驱动器耦接于该第一供应端以及该第二供应端之间,并且具有一输入耦接至该输入端以及一输出耦接至该输出端。9.如申请专利范围第8项所述之输出驱动器电路,其中该第一回转率控制电晶体包括一PMOS电晶体,且该第二回转率控制电晶体包括一NMOS电晶体。10.如申请专利范围第1项所述之输出驱动器电路,其中该副输出驱动器具有比该主输出驱动器更强的驱动能力。11.一种CMOS输出驱动器电路,包括:一主CMOS输出驱动器,具有一输入耦接至一输入端以及一输出耦接至一输出端;一副CMOS输出驱动器,具有一输入耦接至该输入端以及一输出耦接至该输出端,该副CMOS输出驱动器具有比该主CMOS输出驱动器更强的驱动能力;以及一回转率控制电路,该回转率控制电路包含用以禁能该副CMOS输出驱动器之电路,以回应在该输出端上之一输出,其中该CMOS输出驱动器电路之输出阻抗在一稳态电压条件下增加。12.如申请专利范围第11项所述之CMOS输出驱动器电路,其中该回转率控制电路包括用以在一高稳态电压条件下禁能该副CMOS输出驱动器之装置,以及用以在一低稳态电压条件下禁能该副CMOS输出驱动器之装置。13.如申请专利范围第12项所述之CMOS输出驱动器电路,其中该些禁能装置在该输出大于一第一电压临界且小于该高稳态电压时,禁能该副CMOS输出驱动器,以及在该输出小于一第二电压临界且大于该低稳态电压时,禁能该副CMOS输出驱动器。14.如申请专利范围第11项所述之CMOS输出驱动器电路,其中该主CMOS输出驱动器以及该副CMOS输出驱动器皆耦接于该第一供应端以及该第二供应端之间,以及其中该回转率控制电路包括:一第一回转率控制电晶体,耦接于该副CMOS输出驱动器以及一第一供应端之间,该第一回转率控制电晶体具有一控制端耦接至该输出端;以及一第二回转率控制电晶体,耦接于该副CMOS输出驱动器以及一第二供应端之间,该第二回转率控制电晶体具有一控制端耦接至该输出端。15.如申请专利范围第14项所述之CMOS输出驱动器电路,其中该第一回转率控制电晶体包括一PMOS电晶体,且该第二回转率控制电晶体包括一NMOS电晶体。16.如申请专利范围第11项所述之CMOS输出驱动器电路,其中该主CMOS输出驱动器以及该副CMOS输出驱动器皆包括一上拉输出电晶体以及一下拉输出电晶体,其中该副CMOS输出驱动器之该上拉输出电晶体比该主CMOS输出驱动器之该上拉输出电晶体大,且该副CMOS输出驱动器之该下拉输出电晶体比该主CMOS输出驱动器之该下拉输出电晶体大。17.一种具回转率控制之输出驱动方法,包括:在一输出端上驱动一输出信号,以回应在一CMOS输出驱动器电路之一输入端上之一输入信号,其中该CMOS输出驱动器电路包括一主CMOS输出驱动器以及一副CMOS输出驱动器;以及为回应该输出信号,选择性地禁能该副CMOS输出驱动器,以改变该CMOS输出驱动器电路之输出阻抗,其中该副CMOS输出驱动器电路的回转率在该输出信号转态期间被控制。18.如申请专利范围第17项所述具回转率控制之输出驱动方法,其中该副CMOS输出驱动器具有比该主CMOS输出驱动器更强的驱动能力。19.如申请专利范围第17项所述具回转率控制之输出驱动方法,其中当该输出信号大于一第一电压临界且小于一高稳态电压条件时,禁能该副CMOS输出驱动器,以及当该输出信号小于一第二电压临界且大于一低稳态电压条件时,禁能该副CMOS输出驱动器。图式简单说明:图1绘示为习知的输出驱动器的电路图。图2为依照本发明较佳实施例所绘示之具回转率控制之输出驱动器的电路图。图3绘示为图2输出驱动器电路与两种习知输出驱动器电路之下拉电流/电压(I/V)曲线的模拟图。图4绘示为图2输出驱动器电路与两种习知输出驱动器电路之上拉电流/电压(I/V)曲线的模拟图。图5绘示用来从图2输出驱动器电路与两种习知输出驱动器电路之模拟观察其上升与下降时间。图6A-图6C绘示为从图2输出驱动器电路与两种习知输出驱动器电路之模拟所得到的驱动器之眼图。图7A-图7C绘示为耦接至图2输出驱动器电路与两种习知输出驱动器电路之模拟负载上的输出之眼图。 |
