| 主权项 |
1.一种场发射显示器(FED),其包含:一阴极部分,其包括以带状形式、允许在一基板上执行矩阵定址之列信号线与行信号线,及由该等列信号线与该等行信号线所定义之像素,每一像素具有一场发射器及一控制装置,该控制装置包含连接至至少该等列与行信号线之两端子及连接至该场发射器之一端子且控制该场发射器;一阳极部分,其具有一阳极电极与连接至该阳极电极之一磷光体;及一闸极部分,其具有带有复数个贯穿孔之一金属网孔及该金属网孔之至少一区域上所形成之一介电层,其中该闸极部分系置放于该阴极部分与该阳极部分之间以允许形成该介电层之表面得以与该阴极部分面对且允许自该场发射器所发射之电子经由其该等贯穿孔与该磷光体碰撞。2.如请求项1之FED,其中该阳极部分、该阴极部分及该闸极部分系单独加以制造。3.如请求项1之FED,其中该介电层系形成于该金属网孔之整个表面或该表面之一部分上。4.如请求项1之FED,其中该金属网孔之该贯穿孔具有至少一倾斜内壁。5.如请求项4之FED,其中该介电层覆盖该贯穿孔之该倾斜内壁。6.如请求项4之FED,其中该金属网孔之该内壁包括至少两倾斜角以具有一伸出部分。7.如请求项1之FED,其中该闸极部分之该金属网孔系由铝、铁、铜及镍之一所形成之一金属板或包含不锈钢、铟钢及科伐之一之一合金板。8.如请求项1之FED,其中该闸极部分每一像素具有复数个贯穿孔。9.如请求项1之FED,其中面对该阴极部分之该金属网孔之该贯穿孔之一孔尺寸系大于面对该阳极部分之一孔尺寸。10.如请求项1之FED,其进一步包含置放于该阳极部分与该闸极部分之间之一间隔物,11.如请求项1之FED,其中该场发射器系由金刚石、金刚石碳、碳奈米管及碳奈米纤维之任一者制成之一薄或厚膜形成。12.如请求项1之FED,其中该控制装置系一薄膜电晶体(thin film transistor;TFT)或一金氧半导体场效电晶体(MOSFET)。13.如请求项1之FED,其中一直流(DC)电压施加于该金属网孔以促使该阴极部分之该场发射器发射电子,藉由向该阳极部分之该阳极电极施加一DC电压而采用一高能量来加速所发射之电子,及将扫描与资料信号定址于该阴极部分之每一像素处所置放之该控制装置,从而该场发射器之该控制装置控制该场发射器之电子发射以显现影像。14.如请求项1之FED,其中该FED之影像之灰阶呈现系藉由对经由该控制装置施加于该场发射器之一资料信号电压进行一脉冲振幅调变及∕或一脉冲宽度(持续时间)调变来确保。15.如请求项1之FED,其中施加于该场发射器之该资料信号之一电压系具有一0 V至50 V位准之一脉冲。16.如请求项1之FED,其中该控制装置系一薄膜电晶体,且具有一闸极,其由该阴极部分上之金属形成;一闸极绝缘层,其形成于具有该闸极之该阴极部分上;一作用层,其由该闸极绝缘层之一部分与该闸极上之一半导体薄膜形成;源极与汲极,其形成于该作用层之两端处;及一层间绝缘层,其具有一接触孔用于允许该等源极与汲极与该电极接触。17.如请求项16之FED,其中该薄膜电晶体之该作用层系由一非晶矽或多晶矽层形成。图式简单说明:图1系说明具有一传统二极体型场发射装置之一FED之一组态之示意图;图2系说明具有一传统二极体型场发射装置与一控制装置之一FED之一组态之示意图;图3系说明依据本发明之一具体实施例之一FED之一组态之示意图;图4系图3之该FED之一示意性断面图;图5系沿依据本发明之另一具体实施例之一FED之某一部分所取之一单位像素之一断面图;图6系沿依据本发明之另一具体实施例之一FED之某一部分所取之一单位像素之一断面图;图7系沿依据本发明之另一具体实施例之一FED之某一部分所取之一单位像素之一断面图;及图8系显示依据本发明之一电子束之一轨迹之模拟结果之一曲线图。 |
