| 主权项 |
1.一种电磁波干扰阻绝层的制作方法,包括:提供一遮罩,该遮罩具有多数个开口;利用该遮罩作为罩幕,于一基材上镀上一第一图案;改变该遮罩与该基材的相对位置;以及利用该遮罩作为罩幕,于该基材上镀上一第二图案,其中该第一图案与该第二图案系组成一电磁波干扰阻绝层。2.如申请专利范围第1项所述之电磁波干扰阻绝层的制作方法,其中于该基材上镀上该第一图案的方法包括物理性沈积制程、化学性沈积制程或电镀制程。3.如申请专利范围第1项所述之电磁波干扰阻绝层的制作方法,其中于该基材上镀上该第二图案的方法包括物理性沈积制程、化学性沈积制程或电镀制程。4.如申请专利范围第1项所述之电磁波干扰阻绝层的制作方法,其中移动该遮罩之步骤包括将该遮罩转一角度,该角度在60~90之间。5.如申请专利范围第1项所述之电磁波干扰阻绝层的制作方法,其中该电磁波干扰阻绝层之材质系选自于金、银、铜、铁、铝、镍、锰、碳与合金其中之一。6.如申请专利范围第1项所述之电磁波干扰阻绝层的制作方法,其中该遮罩之材质包括金属、陶瓷与高分子聚合物其中之一。7.一种电磁波干扰阻绝层的制作方法,适于在一基材上形成一电磁波干扰阻绝层,其步骤包括(a)提供一遮罩,该遮罩具有多数个开口;(b)利用该遮罩作为罩幕,对该基材进行一镀膜制程;(c)移动该遮罩;以及(d)重复步骤(b)~(c),直到于该基材上形成多数个图案,其中该些图案系组成该电磁波干扰阻绝层。8.如申请专利范围第7项所述之电磁波干扰阻绝层的制作方法,其中该镀膜制程包括物理性沈积制程、化学性沈积制程或电镀制程。9.如申请专利范围第7项所述之电磁波干扰阻绝层的制作方法,其中该电磁波干扰阻绝层之材质系选自于金、银、铜、铁、铝、镍、锰、碳与合金其中之一。10.如申请专利范围第7项所述之电磁波干扰阻绝层的制作方法,其中该遮罩之材质包括金属、陶瓷与高分子聚合物其中之一。11.如申请专利范围第7项所述之电磁波干扰阻绝层的制作方法,其中该些图案包括多数个封闭性图案。12.一种电磁波干扰阻绝层的制作方法,包括:提供一遮罩,该遮罩具有多数个开口;利用该遮罩作为罩幕,进行一镀膜制程,以于一第一基材以及一第二基材上分别形成一第一图案与一第二图案;调整该第一基材与该第二基材之相对位置,;以及贴合该第一基材与该第二基材,以电性相连该第一图案与该第二图案而组成一电磁波干扰阻绝层。13.如申请专利范围第12项所述之电磁波干扰阻绝层的制作方法,其中该镀膜制程包括物理性沈积制程、化学性沈积制程或电镀制程。14.如申请专利范围第12项所述之电磁波干扰阻绝层的制作方法,其中该电磁波干扰阻绝层之材质系选自于金、银、铜、铁、铝、镍、锰、碳与合金其中之一。15.如申请专利范围第12项所述之电磁波干扰阻绝层的制作方法,其中该遮罩之材质包括金属、陶瓷与高分子聚合物其中之一。16.如申请专利范围第12项所述之电磁波干扰阻绝层的制作方法,其中调整该第一基材与该第二基材之相对位置包括使该第一与该第二图案系夹一角度,该角度在60~90之间。图式简单说明:图1为习知一种抗电磁波干扰导电网格之示意图。图2A到图2D为习知另一种抗电磁波干扰导电网格之制造流程剖面示意图。图3绘示为本发明之第一实施例之一种电磁波干扰阻绝层的制作流程步骤图。图4A到图4D为图3中之电磁波干扰阻绝层制作过程的上视示意图。图4E到图4F绘示为本发明之第二实施例之另一种电磁波干扰阻绝层制作过程的上视示意图。图5为本发明之第三实施例之一种电磁波干扰阻绝层的制作流程步骤图。图6A到图6E为图5中之电磁波干扰阻绝层制作过程的上视示意图。图7A为应用于本发明之制程中的遮罩开口之单一基本图形。图7B与图7C则为图7A之组合图形示意图。图8A为应用于本发明之制程中的另一遮罩开口之单一基本图形。图8B则为图8A之组合图形示意图。图9A为应用于本发明之制程中的又一遮罩开口之单一基本图形。图9B则为图9A之组合图形示意图。 |
