| 主权项 |
1.一种铟锡氧化层表面粗糙化的方法,适于使一铟锡氧化层之表面粗糙化,该方法包括:对该铟锡氧化层进行一热处理制程;以及于该铟锡氧化层的表面,进行一等向性蚀刻制程。2.如申请专利范围第1项所述之铟锡氧化层表面粗糙化的方法,其中该热处理制程的温度系介于500℃至700℃之间。3.如申请专利范围第1项所述之铟锡氧化物表面粗糙化的方法,其中该等向性蚀刻制程包括使用一蚀刻剂。4.如申请专利范围第3项所述之铟锡氧化层表面粗糙化的方法,其中该蚀刻剂包括盐酸溶液。5.一种发光二极体元件的制造方法,包括:提供一基板,且该基板上已依序形成有一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层与一透明导电层;图案化该透明导电层、该P型半导体层、该发光层与该N型半导体层,以曝露出部分该N型半导体层;对该透明导电层进行一热处理制程;于该透明导电层的表面,进行一等向性蚀刻制程;以及分别于该透明导电层与曝露出的部分该N型半导体层上形成一第一电极与一第二电极。6.如申请专利范围第5项所述之发光二极体元件的制造方法,其中该热处理制程的温度系介于500℃至700间。7.如申请专利范围第5项所述之发光二极体元件的制造方法,其中该等向性蚀刻制程包括使用一蚀刻剂。8.如申请专利范围第7项所述之发光二极体元件的制造方法,其中该蚀刻剂包括盐酸溶液。9.如申请专利范围第5项所述之发光二极体元件的制造方法,其中该透明导电层的材质包括铟锡氧化物。图式简单说明:图1系绘示依照本发明之较佳实施例的铟锡氧化层表面粗糙化的步骤流程图。图2A至图2D系绘示依照本发明之较佳实施例的发光二极体元件的制造方法之剖面流程图。 |
