| 主权项 |
1.一种半导体封装件,其包括:一基板;以及一晶片,其具有一作用表面与一非作用表面,于该作用表面上之中间部分与周围边缘部份分别形成有复数个焊垫布设区域及相对之无焊垫布设区域,且于该复数个焊垫布设区域及相对之无焊垫布设区域上分别形成复数个焊块及至少一与该焊块相同材料之支撑焊块,并以覆晶方式接置于该基板上。2.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该基板系为硬式有机基板(Rigid Organic Substrate)以及聚亚醯胺柔性基板(Polyimide Flex Tape)之其中一者。3.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该支撑焊块系以偶数与形成相对位置的方式配置。4.如申请专利范围第3项之半导体封装件,其中,该支撑焊块系以二个支撑焊块分别形成于该晶片作用表面周围边缘部份之二斜对角上、四个支撑焊块分别形成于该晶片作用表面周围边缘部份的四角上、二个支撑焊块分别形成于该晶片作用表面周围边缘部份的相对两侧上以及二个支撑焊块分别形成于该晶片作用表面周围边缘部份的一侧边之相对二角上之其中一方式配置。5.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该焊块系为锡/铅比例为63/37的共融合金(Eutetic Alloy)、锡/银/铜比例为96/3.5/0.5的无铅合金(Lead Free Alloy)、铅/锡比例为90/10的高铅合金(High Lead Alloy)、铅/锡比例为95/5的高铅合金以及Ni/Au之金焊块(Gold Bump)之其中一者。6.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该支撑焊块之材料系为锡/铅比例为63/37的共融合金(Eutetic Alloy)、锡/银/铜比例为96/3.5/0.5的无铅合金(Lead Free Alloy)、铅/锡比例为90/10的高铅合金(HighLead Alloy)、铅/锡比例为95/5的高铅合金以及Ni/Au之金焊块(Gold Bump)之其中一者。7.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该基板相对于该晶片作用表面上形成有该支撑焊块之部分,复形成有用以与该支撑焊块相互焊接之支撑焊块焊垫。8.一种半导体封装件制法,其包括:置备一基板;以及令一晶片以覆晶方式接置于该基板上,该晶片具有一作用表面与一非作用表面,于该作用表面上之中间部分与周围边缘部份分别形成有复数个焊垫布设区域及相对之无焊垫布设区域,且于该复数个焊垫布设区域及相对之无焊垫布设区域上分别形成复数个焊块及至少一与该焊块相同材料之支撑焊块,并藉由该复数个焊块焊固于该基板上。9.如申请专利范围第8项之半导体封装件制法,其中,该基板系为硬式有机基板(Rigid Organic Substrate)以及聚亚醯胺柔性基板(Polyimide Flex Tape)之其中一者。10.如申请专利范围第8项之半导体封装件制法,其中,该支撑焊块系以偶数与形成相对位置的方式配置。11.如申请专利范围第10项之半导体封装件制法,其中,该支撑焊块系以二个支撑焊块分别形成于该晶片作用表面周围边缘部份之二斜对角上、四个支撑焊块分别形成于该晶片作用表面周围边缘部份的四角上、二个支撑焊块分别形成于该晶片作用表面周围边缘部份的相对两侧上以及二个支撑焊块分别形成于该晶片作用表面周围边缘部份的一侧边之相对二角上之其中一方式配置。12.如申请专利范围第8项之半导体封装件制法,其中,该焊块系为锡/铅比例为63/37的共融合金(EuteticAlloy)、锡/银/铜比例为96/3.5/0.5的无铅合金(Lead FreeAlloy)、铅/锡比例为90/10的高铅合金(High Lead Alloy)、铅/锡比例为95/5的高铅合金以及Ni/Au之金焊块(Gold Bump)之其中一者。13.如申请专利范围第8项之半导体封装件制法,其中,该支撑焊块之材料系为锡/铅比例为63/37的共融合金(Eutetic Alloy)、锡/银/铜比例为96/3.5/0.5的无铅合金(Lead Free Alloy)、铅/锡比例为90/10的高铅合金(High Lead Alloy)、铅/锡比例为95/5的高铅合金以及Ni/Au之金焊块(Gold Bump)之其中一者。14.一种半导体封装晶片,该晶片系具有一作用表面与一非作用表面,于该作用表面上之中间部分与周围边缘部份分别形成有复数个焊垫布设区域及相对之无焊垫布设区域,且于该复数个焊垫布设区域及相对之无焊垫布设区域上分别形成复数个焊块及至少一支撑焊块,以藉由覆晶方式接置于基板上。15.如申请专利范围第14项之晶片,其中,该支撑焊块系以偶数与形成相对位置的方式配置。16.如申请专利范围第15项之晶片,其中,该支撑焊块系以二个支撑焊块分别形成于该晶片作用表面周围边缘部份之二斜对角上、四个支撑焊块分别形成于该晶片作用表面周围边缘部份的四角上、二个支撑焊块分别形成于该晶片作用表面周围边缘部份的相对两侧上以及二个支撑焊块分别形成于该晶片作用表面周围边缘部份的一侧边之相对二角上之其中一方式配置。17.如申请专利范围第14项之晶片,其中,该焊块系为锡/铅比例为63/37的共融合金(Eutetic Alloy)、锡/银/铜比例为96/3.5/0.5的无铅合金(Lead Free Alloy)、铅/锡比例为90/10的高铅合金(High Lead Alloy)、铅/锡比例为95/5的高铅合金以及Ni/Au之金焊块(Gold Bump)之其中一者。18.如申请专利范围第14项之晶片,其中,该支撑焊块之材料系为锡/铅比例为63/37的共融合金(EuteticAlloy)、锡/银/铜比例为96/3.5/0.5的无铅合金(Lead FreeAlloy)、铅∕锡比例为90/10的高铅合金(High Lead Alloy)、铅/锡比例为95/5的高铅合金以及Ni/Au之金焊块(Gold Bump)之其中一者。图式简单说明:第1图系为习知晶片上有导脚的封装件结构之剖面图;第2图系为美国专利第6,218,731号所揭露之小型球栅阵列式封装件的剖面图;第3图系为习知覆晶形式的封装件于晶片置放于晶片承载件上时,所产生晶片倾斜之示意图;第4A图系为本发明之半导体封装件之一种实施例的剖面图;第4B至4E图系为本发明之半导体封装件中之晶片的作用表面之上视图;第5至7图,其依序显示本发明之半导体封装件的整体制作流程;以及第8图系为本发明之半导体封装件之另一种实施例的剖面图。 |
