| 主权项 |
1.一种复数个光电半导体晶片之制造方法,各晶片分别具有复数个结构元件,各结构元件分别包含至少一个半导体层,本方法包含至少以下各步骤:-制备一种晶片复合物-基体,其具有一种基板和一种生长表面;-在该生长表面上生长一种未闭合之遮罩材料层,使该遮罩材料层具有多个统计分布之视窗,各视窗具有可变之形式及/或开口面积,其中须选取一种遮罩材料,使该半导体层之在稍后之步骤中即将生长之半导体材料基本上不可生长在该遮罩材料上或与该生长表面比较时不易生长之程度大很多;-在该生长表面之位于视窗内部之区域上同时生长多个半导体层;使晶片复合物-基体及其上所施加之材料划分成半导体晶片。2.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该晶片复合物-基体具有至少一以磊晶方式生长在该基板上之半导体层且该生长表面是该以磊晶方式生长而成之半导体层之远离该基板之此侧上之一种表面。3.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中该晶片复合物-基体具有一以磊晶方式生长在该基板上之半导体层序列,该半导体层序列具有一种发出电磁辐射之活性区且该生长表面是半导体层序列之远离该基板之此侧上之一种表面。4.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中各结构元件分别具有一以磊晶方式生长在该基板上之半导体层序列,该半导体层序列具有一种发出电磁辐射之活性区。5.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该遮罩材料具有SiO2,SixNy,Al2O3。6.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中在生长半导体层之后在半导体层上施加一种由导电之接触材料所构成之层,其可透过一由活性区所发出之电磁辐射,使多个结构元件之半导体层可藉由该接触材料而导电地互相连接。7.如申请专利范围第1或5项之制造方法,其中该遮罩材料层之平均厚度小于一结构元件之半导体层之总厚度。8.如申请专利范围第1或5项之制造方法,其中该遮罩材料层在生长半导体层之后至少一部份去除。9.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中在生长半导体层序列之后在该生长表面上施加一种平面层。10.如申请专利范围第9项之制造方法,其中须选取一种材料作为该平面层用之材料,该材料之折射率小于该半导体层材料之折射率。11.如申请专利范围第9项之制造方法,其中须选取一种材料作为该平面层用之材料,该材料具有介电性。12.如申请专利范围第1或5项之制造方法,其中须调整该遮罩材料层之生长用之生长条件,使三维之生长成为主要者且该遮罩材料层主要是由多个以三维方式生长而成之晶粒所形成。13.如申请专利范围第1或5项之制造方法,其中须调整该遮罩材料层之生长用之生长条件,使二维之生长成为主要者且该遮罩材料层主要是由多个以二维方式一起生长而成之部份层所形成。14.如申请专利范围第1或5项之制造方法,其中须调整该遮罩材料层之生长用之生长条件,使大部份之视窗是以数量级大小是微米之平均范围所形成。15.如申请专利范围第1或5项之制造方法,其中须调整该遮罩材料层之生长用之生长条件,使大部份之视窗是以小于或等于1um之平均范围所形成。16.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中须调整半导体层之生长用之生长条件及/或在生长期间使生长条件改变,使各结构元件之半导体层至少近似地形成一种透镜之形式。17.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中藉由金属有机气相磊晶法来进行该遮罩材料层-和半导体层之生长。18.一种光电半导体晶片,其至少包括一该晶片之复合物的其体5,由一基板4和一以磊晶方式生长在该基板上之半导体层或半导体层序列6,以及其远离该基板4之此侧形成该生长表面3所构成,及一结构之件12,其在该生长表面3上生长一种遮罩材料11,及在该组件之所示部份具有视窗,该视窗中选择性地沈积半导体层列8;其特征为该光电半导体晶及系由第1至17项中任一项之方法制造而成。图式简单说明:第1a至1d图 本方法之实施例之不同之阶段时一种生长表面之区段之俯视图。第2图 光电组件之第一实施例之一区段之切面图。第3图 光电组件之第二实施例之一区段之切面图。 |
