| 主权项 |
1.一种电压调节(Power Regulator)装置,包含有:一运算放大器,该运算放大器包含有一正输入端、负输入端以及一输出端,其中该运算放大器之负输入端连结一参考电压;一电流镜,该电流镜包含有一第一参考端以及一第二参考端;一第一电晶体,该第一电晶体之闸极端与该运算放大器之输出端连结,源极端连结至该电流镜之第一参考端,汲极端连结至该运算放大器之正输入端;以及一第二电晶体,该第二电晶体之源极端连结一电压源,汲极端连结至该运算放大器之输出端以及该第一电晶体之闸极端。2.如申请专利范围第1项之电压调节装置,其中更包含有一第一电阻,其中该第一电晶体之汲极端经过该第一电阻连结至接地端。3.如申请专利范围第1项之电压调节装置,其中该电流镜包含有一第三电晶体以及一第四电晶体;其中该第三电晶体之闸极端与该第四电晶体的闸极端连结,该第三电晶体的源极端以及该第四电晶体的源极端相连接并连结至该电压源,该第三电晶体之汲极端经过该第一参考端与该第一电晶体之源极端连结,且该第三电晶体之汲极端耦结至该第三电晶体之闸极端。4.如申请专利范围第3项之电压调节装置,其中更包含一第二电阻,其中该第四电晶体之汲极端经过该第二参考端以及该第二电阻连结至接地端。5.如申请专利范围第3项之电压调节装置,其中该第三电晶体与该第四电晶体为共闸极。6.如申请专利范围第3项之电压调节装置,其中该第三电晶体以及该第四电晶体为P型金氧半电晶体(PMOS)。7.如申请专利范围第1项之电压调节装置,其中利用该二电晶体重置该电压调整装置。8.如申请专利范围第1项之电压调节装置,其中该第一电晶体以及该第二电晶体为P型金氧半电晶体(PMOS)。9.一种电压调节装置,包含有:一运算放大器,该运算放大器包含有一正输入、负入端以及一输出端,其中该运算放大器之负输入端连结一参考电压;一电流镜,该电流镜包含有一第一参考端以及一第二参考端;一第一电晶体,该第一电晶体之闸极端与该运算放大器之输出端连结,源极端连结至该电流镜之第一参考端,汲极端连结至该运算放大器之正输入端;一第二电晶体,该第二电晶体之源极端连结一电压源,汲极端连结至该运算放大器之输出端以及该第一电晶体之闸极端;一第一电阻,其中该第一电晶体之汲极端经过该第一电阻连结至接地端;以及一第二电阻,其中该电流镜之第二参考端经过该第二电阻连结至接地端。10.如申请专利范围第9项之电压调节装置,其中该电流镜包含有一第三电晶体以及一第四电晶体;其中该第三电晶体之闸极端与该第四电晶体的闸极端连结,该第三电晶体的源极端以及该第四电晶体的源极端相连接并连结至该电压源,该第三电晶体之汲极端经过该第一参考端与该第二电晶体之源极端连结,且该第三电晶体之汲极端耦结至该第三电晶体之闸极端,该第四电晶体之汲极端与该第二参考端连结。11.如申请专利范围第10项之电压调节装置,其中该第三电晶体与该第四电晶体为共闸极。12.如申请专利范围第10项之电压调节装置,其中该第三电晶体与该第四电晶体为P型金氧半电晶体(PMOS)。13.如申请专利范围第9项之电压调节装置,其中利用该第二电晶体重置该电压调整装置。14.如申请专利范围第9项之电压调节装置,其中该第一电晶体与该第二电晶体为P型金氧半电晶体(PMOS)。图式简单说明:图一系为习知技术之电压调节装置电路图;图二系为习知技术之另一电压调节装置电路图;及图三系为本发明一较佳实施例之电压调节装置电路图。 |
