| 主权项 |
1.一种介电材料,其组成具如下通式:(Zn1-aMga)(Ti1-b-cMnbDc)dO3 (I)其中,D系为五价以上之元素,0≦a≦0.5,c≦b≦0.1,0<c≦0.1,1≦d≦1.5。2.如请求项1之介电材料,其组成另包括一烧结助剂,该烧结助剂之含量系为e%以(Zn1-aMga)(Ti1-b-cMnbDc)dO3重量计,其中,0<e≦10。3.如请求项2之介电材料,其中该烧结助剂为硼氧化物。4.如请求项3之介电材料,其中该硼氧化物系为B2O3。5.如请求项2之介电材料,其中该烧结助剂为锌硼化合物。6.如请求项5之介电材料,其中该锌硼化合物系为[(ZnO)4.B2O3]。7.如请求项1之介电材料,其中,D系选自由铌(Nb)、钨(W)及钼(Mo)所组成之群。8.如请求项1之介电材料,其中0≦a<0.5。9.如请求项1之介电材料,其中0.02<b≦0.1。10.如请求项1之介电材料,其中0.005<c<0.1。11.如请求项1之介电材料,其中1<d≦1.5。12.如请求项2之介电材料,其中3<e<10。13.一种积层陶瓷元件,其系包含如请求项1之介电材料。14.如请求项13之积层陶瓷元件,其中该积层陶瓷元件系为一积层陶瓷电容器,其包含银、银合金、铜或铜合金之电极。15.一种制备介电材料之方法,其包括:(a)提供含锌化合物、含镁化合物、含钛化合物、含锰化合物及含D元素之化合物为原料,视下列通式(I)所欲之a、b、c、d値决定其起始用量,(Zn1-aMga)(Ti1-b-cMnbDc)dO3 (I)其中,D系为五价以上之元素,0≦a≦0.5,c≦b≦0.1,0<c≦0.1,1≦d≦1.5;(b)在水中混合研磨该步骤(a)之原料;及(c)烤乾该步骤(b)之混合物,再烧该经乾燥之混合物,以制得该介电材料。16.如请求项15之方法,其中步骤(c)系于1000至1250℃之温度下烧该经乾燥之混合物1至3小时。17.如请求项15之方法,其另包括一添加烧结助剂之步骤,该烧结助剂之含量系为e%以(Zn1-aMga)(Ti1-b-cMnbDc)dO3重量计,其中,0<e≦10。18.如请求项17之方法,其中该烧结助剂系为硼氧化物。19.如请求项18之方法,其中该硼氧化物系为B2O3。20.如请求项17之方法,其中该烧结助剂为锌硼化合物。21.如请求项20之方法,其中该锌硼化合物系为[(ZnO)4.B2O3]。22.如请求项15之方法,其中该含锌之化合物为ZnO,该含钛之化合物为TiO2,该含镁之化合物为MgO,该含锰之化合物为MnO。23.如请求项15之方法,其中该D元素系选自由铌(Nb)、钨(W)及钼(Mo)所组成之群。24.如请求项15之方法,其中该含D元素之化合物系为该含D元素之氧化物。25.一种介电材料,其组成具如下通式:(Zn1-aMga)(Ti1-b-cMnbDc)dO3+e wt%B2O3其中,B2O3之含量系为e%以(Zn1-a Mga)(Ti1-b-cMnbDc)dO3重量计,D系为五价以上之元素,0≦a≦0.5,c≦b≦0.1,0<c≦0.1,1≦d≦1.5,0<e≦10。26.如请求项25之介电材料,其中,D系选自由铌(Nb)、钨(W)及钼(Mo)所组成之群。27.如请求项25之介电材料,其中0≦a<0.5,0.02<b≦0.1,0.005<c<0.1,1<d≦1.5,3<e<10。28.一种积层陶瓷元件,其系包含根据申请专利范围第25项之介电材料。29.如请求项28之积层陶瓷元件,其中该积层陶瓷元件系为一积层陶瓷电容器,其包含银、银合金、铜或铜合金之电极。 |
