发明名称 半导体记忆体装置之冗余电路
摘要 本发明提供一种冗余电路,在该冗余电路中于一熔丝组中配置复数个冗余取代单元以增强熔丝组之使用效率。一半导体记忆体装置中之该冗余电路包含:一熔丝组控制器,其用于输出一根据所施加之位址讯号而启用之冗余启用讯号;一冗余选择器;一备用冗余选择器;及一受控于该冗余启用讯号之备用熔丝控制器,其用于输出一根据一内部熔丝选择而选择该冗余选择器及该备用冗余选择器中至少一者的选择控制讯号。
申请公布号 TWI266332 申请公布日期 2006.11.11
申请号 TW094122607 申请日期 2005.07.04
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 姜相熙
分类号 G11C29/24(2006.01) 主分类号 G11C29/24(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种位于一半导体记忆体装置中之冗余电路,包括:一熔丝组控制器,其用于输出一根据所施加之位址讯号而启用的冗余启用讯号;一冗余选择器;一备用冗余选择器;及一备用熔丝控制器,其受控于该冗余启用讯号,且用于输出一根据一内部熔丝选择而选择该冗余选择器及该备用冗余选择器中至少一者的选择控制讯号。2.如请求项1之冗余电路,其中该备用熔丝控制器包含:一备用熔丝单元,其系藉由一自一外部施加之熔丝控制讯号加以初始化,且用于输出一具有一对应于该内部熔丝选择之预定逻辑位准的熔离讯号;及一选择控制器,其用于根据回应该冗余启用讯号而产生之该熔离讯号而输出该选择控制讯号。3.如请求项2之冗余电路,其中该备用熔丝单元包含:复数个备用熔丝输出单元,其受控于该熔丝控制讯号,且用于输出具有对应于该内部熔丝选择之预定逻辑位准的讯号;一解码器,其用于藉由对该复数个备用熔丝输出单元之输出讯号进行解码而输出复数个熔离讯号;及一解码器启用讯号产生器,其受控于该熔丝控制讯号,且用于启用该解码器。4.如请求项3之冗余电路,其中该选择控制器藉由使用该复数个熔离讯号而输出一用于启用该冗余选择器之冗余选择讯号或一用于启用该备用冗余选择器之备用冗余选择控制讯号。5.如请求项4之冗余电路,其中该冗余选择器对该冗余选择控制讯号及自一外部施加之该选择控制讯号执行一逻辑运算以输出一冗余选择讯号,且该备用冗余选择器对该备用冗余选译控制讯号及该选择控制讯号执行一逻辑运算以输出一备用冗余选择讯号。6.一种位于一半导体记忆体装置中之冗余电路,包括:一熔丝组控制器,其用于输出一根据所施加之位址讯号而启用的冗余启用讯号;一冗余选择器,其用于输出一冗余选择讯号;一备用冗余选择器,其用于输出一备用冗余选择讯号;及一备用熔丝控制器,其受控于该冗余启用讯号,且用于输出一选择控制讯号,该选择控制讯号在一正常模式期间根据一内部熔丝选择或在一测试模式期间根据一对应于该冗余选择讯号之预定位址讯号而选择该冗余选择器及该备用冗余选择器中之至少一者。7.如请求项6之冗余电路,其中该备用熔丝控制器包含:一备用熔丝单元,其系藉由一自一外部施加之熔丝控制讯号加以初始化,且用于输出一具有一对应于该内部熔丝选择之预定逻辑位准的熔离讯号;及一选择控制器,其用于输出一选择控制讯号,该选择控制讯号在一正常模式期间根据该复数个熔离讯号或在一测试模式期间根据一对应于该冗余选择讯号之预定位址讯号而选择该冗余选择器及该备用冗余选择器中的至少一者。8.如请求项7之冗余电路,其中该备用熔丝单元包含:复数个备用熔丝输出单元,其受控于该熔丝控制讯号,且用于输出具有对应于该内部熔丝选择之预定逻辑位准的讯号;一解码器,其用于藉由对该复数个备用熔丝输出单元之输出讯号进行解码而输出复数个熔离讯号;及一解码器启用讯号,其受控于该熔丝控制讯号,且用于启用该解码器。9.如请求项7之冗余电路,其中该选择控制器包含:一正常选择器,其用于在该正常模式期间藉由使用该冗余启用讯号及该复数个熔离讯号而启用复数个正常选择控制讯号或一备用选择控制讯号;一测试模式选择器,其用于根据一对应于在该测试模式期间被启用之该冗余选择讯号的预定位址讯号而启用复数个测试模式选择控制讯号或一测试模式备用选择控制讯号;及一讯号耦合器,其用于对该复数个正常选择控制讯号及该复数个测试模式选择控制讯号执行一逻辑运算以输出该冗余选择控制讯号,且用于对该等备用选择控制讯号及该等测试模式备用选择控制讯号执行一逻辑运算以输出该备用冗余选择控制讯号。10.如请求项9之冗余电路,其中该正常选择器包含:一第一至一第四反相器,其用于使并行输入至其的该复数个熔离讯号中每一者反相;一第五反相器,其用于使该冗余测试讯号反相;一第一及一第四及闸,其用于对该第一至该第四反相器之输出、一第一至一第四冗余启用讯号及该第五反相器之输出执行一逻辑及运算;及一第五及闸,其用于对该复数个熔离讯号、该第一至该第四冗余启用讯号及该第五反相器之该输出执行一逻辑及运算。11.如请求项9之冗余电路,其中该测试模式选择器具有一第一至一第五及闸,其用于对并行输入至其的该冗余测试讯号及该预定位址讯号执行一逻辑及运算。12.如请求项9之冗余电路,其中该讯号耦合器包含:一第一至一第四或闸,其用于对一第一至一第四正常选择讯号及一第一至一第四测试模式选择控制讯号执行一逻辑或运算以输出一第一至一第四冗余选择控制讯号;及一第五或闸,其用于对该备用选择控制讯号及该测试模式选择控制讯号执行一逻辑或运算以输出一备用冗余选择控制讯号。13.一种位于一半导体记忆体装置中之冗余电路,包括:一熔丝组控制器,其用于输出一根据所施加之位址讯号而启用的冗余启用讯号;一备用熔丝单元,其用于输出具有对应于一内部备用熔丝选择之预定逻辑位准的复数个熔离讯号;一冗余选择器,其受控于一自一外部施加之选择控制讯号,且用于将该冗余启用讯号输出为一正常选择控制讯号;及一多工器,其用于根据该复数个熔离讯号而启用一冗余选择讯号或一备用冗余选择讯号。14.如请求项13之冗余电路,其中该备用熔丝单元包含:复数个备用熔丝输出单元,其受控于该熔丝控制讯号,且用于输出具有对应于该内部熔丝选择之预定逻辑位准的讯号;一解码器,其用于藉由对该复数个备用熔丝输出单元之输出讯号进行解码而输出复数个熔离讯号;及一解码器启用讯号,其受控于该熔丝控制讯号,且用于启用该解码器。15.如请求项13之冗余电路,其中该多工器包含:复数个反相器,其用于使该复数个熔离讯号中每一者反相;复数个及闸,其用于对并行输入至其的该复数个反相器之输出及复数个正常选择控制讯号执行一逻辑及运算;及另一及闸,其用于对该复数个熔离讯号及该复数个正常选择控制讯号执行一逻辑及运算。图式简单说明:图1绘示先前技术冗余电路之方块图;图2为表示先前技术冗余电路之运作的时序图;图3绘示根据本发明之第一较佳实施例之半导体记忆体装置之冗余电路的方块图;图4绘示根据本发明之备用熔丝控制器之组态的方块图;图5绘示根据本发明之冗余电路之备用熔丝单元的电路图;图6绘示根据本发明之选择控制器之详细组态的方块图;图7绘示根据本发明之选择控制器之正常选择器的电路图;图8绘示根据本发明之选择控制器之测试模式选择器的电路图;图9绘示根据本发明之选择控制器之讯号耦合器的电路图;图10为当连接备用熔丝单元时根据本发明之冗余电路的时序图;图11为当断开备用熔丝时根据本发明之冗余电路的时序图;图12绘示根据本发明之第二较佳实施例之冗余电路的方块图;及图13绘示根据本发明之第二较佳实施例之多工器之详细组态的电路图。
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