| 主权项 |
1.一种基于氮化物之化合物半导体发光装置,其包 含: 一第一导电基板(11); 在该第一导电基板(11)上形成之一第一欧姆电极(12 ); 在该第一欧姆电极(12)上形成之一结合金属层(20); 在该结合金属层(20)上形成之一第二欧姆电极(13); 及 在该第二欧姆电极(13)上形成之一基于氮化物之化 合物半导体层(30),其中 该基于氮化物之化合物半导体层(30)包括至少一P 型层(31)、一发光层(32)及一N型层(33),且具有一凹 槽部分(50)或一凹形部分。 2.如请求项1之基于氮化物之化合物半导体发光装 置,其中该第一导电基板(11)具有一凹槽部分(51)或 一凹形部分。 3.如请求项1之基于氮化物之化合物半导体发光装 置,其中该第一导电基板(11)为选自Si、GaAs、GaP、Ge 及InP组成之群之材料的至少一种的半导体。 4.如请求项1之基于氮化物之化合物半导体发光装 置,其中该基于氮化物之化合物半导体层(30)系使 用一第二基板(35)来形成,且该第二基板(35)为蓝宝 石、尖晶石或铌酸锂之绝缘基板,或为碳化矽、矽 、氧化锌或砷化镓之导电基板。 5.如请求项1之基于氮化物之化合物半导体发光装 置,其中该结合金属层(20)包括一第一结合金属层( 21)及一第二结合金属层(22)。 6.如请求项1之基于氮化物之化合物半导体发光装 置,其中该结合金属层(20)包括至少两个由彼此不 同之材料形成或由相同材料形成之层。 7.一种基于氮化物之化合物半导体发光装置构造 单元,其包括具有连续形成于一第二基板(35)上之 一缓冲层(36)、一N型层(33)、一发光层(32)及一P型 层(31)之基于氮化物之化合物半导体层(30),其中该 基于氮化物之化合物半导体层(30)具有一凹槽部分 (50)。 8.如请求项7之基于氮化物之化合物半导体发光装 置构造单元,其中该凹槽部分(50)亦形成于该第二 基板(35)中。 9.如请求项7之基于氮化物之化合物半导体发光装 置构造单元,其中该第二基板(35)为蓝宝石、尖晶 石或铌酸锂之绝缘基板,或为碳化矽、矽、氧化锌 或砷化镓之导电基板。 10.如请求项7之基于氮化物之化合物半导体发光装 置构造单元,其中在该基于氮化物之化合物半导体 层(30)上进一步形成一第二欧姆电极(13)。 11.一种基于氮化物之化合物半导体发光装置,其具 有一第一导电基板(11)及请求项7中所述之基于氮 化物之化合物半导体发光装置构造单元,该第一导 电基板(11)与请求项7中所述之基于氮化物之化合 物半导体发光装置构造单元经由一结合金属层(20) 而整合成一片以使得该基于氮化物之化合物半导 体层(30)与该第一导电基板(11)彼此相邻。 12.如请求项11之基于氮化物之化合物半导体发光 装置,其中该第一导电基板(11)具有一凹槽部分(51) 。 13.一种基于氮化物之化合物半导体发光装置之制 造方法,其包含以下步骤: 在一第二基板(35)上形成一基于氮化物之化合物半 导体层(30); 在该基于氮化物之化合物半导体层(30)形成一凹槽 部分(50); 在具有该凹槽部分(50)之基于氮化物之化合物半导 体层(30)上形成一第二欧姆电极(13); 在该第二欧姆电极(13)上形成一第二结合金属层(22 ); 在一第一导电基板(11)上形成一第一欧姆电极(12); 在该第一欧姆电极(12)上形成一第一结合金属层(21 ); 将该第一结合金属层(21)结合至该第二结合金属层 (22); 移除该第二基板(35)以曝露该基于氮化物之化合物 半导体层(30)之一表面;及 在该经曝露之表面上形成一透明电极。 14.如请求项13之基于氮化物之化合物半导体发光 装置之制造方法,其中在该第二基板(35)上形成该 基于氮化物之化合物半导体层(30)之步骤包括自该 第二基板侧面以至少一N型层(33)、一发光层(32)及 一P型层(31)之顺序连续堆叠至少一N型层(33)、一发 光层(32)及一P型层(31)之步骤。 15.如请求项13之基于氮化物之化合物半导体发光 装置之制造方法,其在该形成该第二欧姆电极(13) 之步骤与该形成该第二结合金属层(22)之步骤之间 包含在该第二欧姆电极(13)上形成一反射层(19)之 步骤,且该形成该第二结合金属层(22)之步骤包括 在该反射层(19)上形成该第二结合金属层(22)之步 骤。 16.一种基于氮化物之化合物半导体发光装置之制 造方法,其包含以下步骤: 在一第二基板(35)上形成一基于氮化物之化合物半 导体层(30); 在该基于氮化物之化合物半导体层(30)上形成一凹 槽部分(50); 在具有该凹糟部分(50)之基于氮化物之化合物半导 体层(30)上形成一第二欧姆电极(13); 在该第二欧姆电极(13)上形成一第二结合金属层(22 ); 在一第一导电基板(11)形成一凹槽部分(51); 在具有该凹槽部分(51)之第一导电基板(11)上形成 一第一欧姆电极(12); 在该第一欧姆电极(12)上形成一第一结合金属层(21 ); 将该第一结合金属层(21)结合至该第二结合金属层 (22); 移除该第二基板(35)以曝露该基于氮化物之化合物 半导体层(30)之一表面;及 在该经曝露之表面上形成一透明电极。 图式简单说明: 图1为根据本发明之一基于氮化物之化合物半导体 发光装置之示意性剖视图。 图2为根据本发明之一基于氮化物之化合物半导体 发光装置构造单元之示意性剖视图。 图3为说明其中第一与第二结合金属层彼此结合以 将第二基板侧面之构造与第一导电基板侧面之构 造组合成一片之状态的示意性剖视图。 图4为说明其中一凹槽部分形成于第一导电基板中 之状态的示意性剖视图。 图5为说明其中第一与第二结合金属层彼此结合以 将第二基板侧面之构造与第一导电基板侧面之构 造组合成一片之状态的示意性剖视图。 图6为根据本发明之一基于氮化物之化合物半导体 发光装置之示意性剖视图。 图7为一习知之基于氮化物之化合物半导体发光装 置之示意性剖视图。 |
