| 主权项 |
1.一种角速率感测装置之制造方法,包括有: 提供一绝缘层上矽晶圆、一第一玻璃晶圆、与一 第二玻璃晶圆; 于该第一玻璃晶圆上形成一个以上之凹槽; 接合该绝缘层上矽晶圆与该第一玻璃晶圆; 于该绝缘层上矽晶圆之该结构晶圆上,形成一结构 层,其中该结构层包括有一多质量块振动体与复数 个柔性支撑部,该复数个柔性支撑部连接于该多质 量块振动体并支撑该振动体于该凹槽中; 于该第二玻璃晶圆上形成复数个平面电极以及相 对应之电路;以及 接合该第二玻璃晶圆与接合有该第一玻璃晶圆之 该绝缘层上矽晶圆。 2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该绝 缘层上矽晶圆包括有一载板、一形成于该载板上 之结构晶圆、以及一位于该载板与该结构晶圆之 间之绝缘层。 3.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中在接 合该绝缘层上矽晶圆与该第一玻璃晶圆之步骤后, 更包括有一去除该绝缘层上矽晶圆之该载板及该 绝缘层之步骤。 4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中接合 该绝缘层上矽晶圆与该第一玻璃晶圆之步骤系以 阳极接合方式接合。 5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成 该结构层之步骤系以电感耦合式电浆蚀刻( inductively coupled plasma,ICP)蚀刻该多质量块振动体与 该柔性支撑部。 6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成 该复数个平面电极以及相对应之电路之步骤包括 有: 于该第二玻璃晶圆上沈积一金属层,以定义该电路 之导线; 于部分之该金属层上沈积一玻璃层,以定义与绝缘 层上矽晶圆接合之接触面;以及 形成该复数个平面电极电极与外部电路连接之金 属接垫。 7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中接合 该第二玻璃晶圆与该绝缘层上矽晶圆系以阳极接 合方式接合。 8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中接合 该第二玻璃晶圆与该绝缘层上矽晶圆系以高分子 黏胶接合。 9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中在接 合该第二玻璃晶圆与接合有该第一玻璃晶圆之该 绝缘层上矽晶圆之步骤后更包括有一切割晶圆之 步骤。 10.一种角速率感测装置之制造方法,包括有: 提供一矽晶圆、一第一玻璃晶圆与一第二玻璃晶 圆; 在该第一玻璃晶圆上形成一个以上之凹槽以及该 第二玻璃晶圆形成复数个凹槽,该等凹槽系相互对 应,每一相对应之该凹槽在接合时形成一容置空间 ; 在该第一玻璃晶圆上形成复数个平面电极与相对 应之电路; 接合该矽晶圆与该第二玻璃晶圆; 于该矽晶圆上,形成一结构层,其中该结构层包括 有一多质量块振动体与复数个柔性支撑部,该复数 个柔性支撑部连接于该多质量块振动体并支撑该 振动体于该第二玻璃晶圆之该凹槽中;以及 接合该第一玻璃晶圆与接合有该第二玻璃晶圆之 该矽晶圆。 11.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中接 合该矽晶圆与该第一玻璃晶圆之步骤系以阳极接 合方式接合。 12.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中于 接合后更包括有一对该矽晶圆进行化学机械研磨 之步骤。 13.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中形 成该结构层之步骤系以电感耦合式电浆蚀刻( inductively coupled plasma,ICP)蚀刻该多质量块振动体与 该柔性支撑部。 14.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中接 合该第二玻璃晶圆与形成该结构层之该矽晶圆之 步骤系以阳极接合方式接合。 15.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中接 合该第二玻璃晶圆与该绝缘层上矽晶圆系以高分 子黏胶接合。 16.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中在 接合该第一玻璃晶圆与接合有该第二玻璃晶圆之 该绝缘层上矽晶圆之步骤后更包括有一切割晶圆 之步骤。 图式简单说明: 第1图系为本发明所揭露之角速率感测装置之结构 示意图。 第2图系为本发明所揭露之角速率感测装置之局部 结构放大图。 第3A图至第3L图系为本发明所揭露之角速率感测装 置之制造流程之一实施例示意图。 第4A图至第4H图系为本发明所揭露之角速率感测装 置之制造流程之另一实施例示意图。 |
