| 主权项 |
1.一种主动式图元电路,包括: 在重置条件下对节点充电的重置电路; 接收光能时对所述节点放电的光电二极体; 在所述节点处再生成一电压的源极随耦器电路; 与所述源极随耦器电路的输出端连接的运算放大 器,所述运算放大器具有一可根据所述主动式图元 电路的一个或多个操作模式进行调节的反馈补偿 电路。 2.如申请专利范围第1项所述的主动式图元电路,其 中所述重置电路、所述光电二极体和所述源极随 耦器被配置在一个共用CMOS基层上。 3.如申请专利范围第2项所述的主动式图元电路,其 中所述运算放大器被配置在所述重置电路、所述 光电二极体和所述源极随耦器所共用的CMOS基层上 。 4.如申请专利范围第2项所述的主动式图元电路,其 中所述CMOS基层是现有的CMOS基层。 5.如申请专利范围第1项所述的主动式图元电路,进 一步包括有位于所述光电二极体与所述重置电路 和所述源极随耦器电路中的一个之间的浅槽隔离 。 6.一种运算放大器,包括: 接收图像信号的输入级; 回应所述图像信号生成输出的输出级; 位于所述输入级与所述输出级之间的反馈电路,所 述反馈电路具有可基于连接所述输出级的负载变 化进行调节的回应。 7.如申请专利范围第6项所述的运算放大器,其中所 述反馈电路包括有一组电容器,并可根据连接到所 述输出级的所述负载变化选择其中的一子组电容 器。 8.如申请专利范围第7项所述的运算放大器,其中所 述子组可选择的电容器被选择来确保连接到所述 输出级的对应负载变化的稳定性。 9.如申请专利范围第8项所述的运算放大器,进一步 包括有一预充电电路,对所述运算放大器的输出级 预充电以改善上拉斜率特性。 10.如申请专利范围第9项所述的运算放大器,其中 所述预充电电路将所述输出级偏压成所述运算放 大器的近似正电源电压。 图式简单说明: 图1是一个基于CMOS的主动式图元感测器的示意图; 图2是使用浅槽隔离的主动式图元感测器中的主动 式设备隔离的示意图; 图3A是用于主动式图元感测器的具有可变补偿反 馈的运算放大器的示意图; 图3B是图3A所示的补偿反馈电路的示意图; 图4是用于主动式感测器的具有预放电初始化的运 算放大器的示意图; 图5是具有多个光电二极体与对应的类比数位转换 器成列布置的一个成像设备的示意图; 图6是带有一个光电二极体阵列和支援电路的成像 设备的示意图; 图7是一个逐次近似类比数位转换器的示意图; 图8是一个带有亮度区的图元阵列800的示意图; 图9是校正区域性图像饱和度的流程900的流程图; 图10是校正区域性图像饱和度的流程1000的流程图; 图11是使用一个充电放大器进行粗调和细调的示 意图。 |
