| 主权项 |
1.一种显示装置,其特征在于:包含 多数显示元件:形成于显示区域;及 电压变化机构:设于上述各显示元件且使对于上述 显示元件输出的显示电压値变化者。 2.如申请专利范围第1项之显示装置,其中设有电位 保持机构:保持输入到电压变化机构的电压电位。 3.如申请专利范围第1项之显示装置,其中上述各显 示元件设有记忆图像资料的记忆机构。 4.如申请专利范围第2项之显示装置,其中上述各显 示元件设有记忆图像资料的记忆机构。 5.如申请专利范围第1至4项中任一项之显示装置, 其中具备多数第1配线和与该第1配线交叉的多数 第2配线,上述显示元件配置于第1配线及第2配线交 叉的部位,同时具备与上述显示元件对应的开关元 件, 该开关元件的第1端子连接于上述第1配线,上述开 关元件的第2端子透过上述电压变化机构连接于上 述显示元件。 6.如申请专利范围第5项之显示装置,其中上述开关 元件的第2端子连接于上述记忆机构或电位保持机 构,同时上述记忆机构或电位保持机构透过上述电 压变化机构连接于上述显示元件。 7.如申请专利范围第4项之显示装置,其中在上述记 忆机构、电位保持机构或电压变化机构和上述显 示元件显示元件之间具备第2开关元件。 8.如申请专利范围第1至4项中任一项之显示装置, 其中记忆图像资料的第2记忆机构设于显示区域的 外侧。 9.如申请专利范围第1至4项中任一项之显示装置, 其中使用包含反射型液晶元件的光电元件或包含 有机EL元件的自发光型元件作为上述显示元件。 10.如申请专利范围第1至4项中任一项之显示装置, 其中构成进行上述多数显示元件切换的开关元件 的电极和由上述电压变化机构构成的像素形成于 显示基板上。 11.如申请专利范围第4项之显示装置,其中上述显 示元件装置系于各个形成于显示区域的多数像素 设有显示元件者,各显示元件具备个别所设的记忆 机构、电位保持机构及电压变化机构,同时对于显 示元件施加作为图像资料的显示电压之际, 在第1电压施加期间及第2电压施加期间之间,设有 中间电压施加期间,该第1电压施加期间系:将第1位 元资料取入上述电位保持机构,根据保持于该电位 保持机构的电位施加电压给上述显示元件;该第2 电压施加期间系:将第2位元资料取入上述电位保 持机构,根据保持于该电位保持机构的电位施加电 压给上述显示元件; 该中间电压施加期间系:根据取入上述记忆机构的 图像资料施加显示电压给上述显示元件。 12.如申请专利范围第4项之显示装置,其中上述显 示装置系于各个形成于显示区域的多数像素处设 有显示元件者,各显示元件具备个别所设的记忆机 构、电位保持机构及电压变化机构,同时对于显示 元件施加作为图像资料的显示电压之际, 切换来自上述记忆机构或电位保持机构的输出电 位而施加于显示元件。 13.如申请专利范围第1至4项中任一项之显示装置, 其中电压变化机构包含级联连接的第1变换器和第 2变换器, 上述第1变换器构成如下:在第1电源和GND之间依次 串联连接第1型式的第1 TFT和第2型式的第2 TFT,第1 TFT的闸极端子连接于第2电源,施加输入电压给第2 TFT的闸极端子,以上述第2 TFT和第1 TFT的连接点为 上述第1变换器的输出端子, 上述第2变换器构成如下:在第1电源和GND之间依次 连接上述第1型式的第3 TFT和第2型式的第4 TFT,上述 第1变换器的输出端子连接于第3 TFT的闸极端子,上 述输入电压为第2电源电压时施加GND给第4 TFT的闸 极端子,另一方面上述输入电压为GND时施加第1电 源电压,以上述第3 TFT和第4 TFT的连接点为上述第2 变换器的输出端子。 14.如申请专利范围第13项之显示装置,其中在第2电 源和第1 TFT之间再连接上述第1型式的第5 TFT,上述 第2变换器的输出端子连接于上述第5 TFT的闸极端 子。 15.如申请专利范围第1至4项中任一项之显示装置, 其中进行分时灰度显示。 16.如申请专利范围第1至4项中任一项之显示装置, 其中电压变化机构包含级联连接的第3变换器和第 4变换器, 上述第3变换器构成如下:在第1电源和输入电压之 间依次串联连接第1型式的第6 TFT和第2型式的第7 TFT,第7 TFT的闸极端子和第2电源连接,以第6 TFT和第 7 TFT的连接点为上述第3变换器的输出端子, 上述第4变换器构成如下:在第1电源和GND之间依次 串联连接第1型式的第8 TFT和第2型式的第9 TFT,上述 第3变换器的输出端子连接于第8 TFT的闸极端子,施 加输入电压给第9 TFT的闸极端子,以上述第8 TFT和 第9 TFT的连接点为上述第4变换器的输出端子, 上述第4变换器的输出端子连接于上述第6 TFT的闸 极端子。 17.一种携带型机器,其具备显示装置,其设有形成 于显示区域的多数显示元件,各显示元件设有使对 于各个上述多数显示元件输出的显示电压値变化 的如申请专利范围第1项所含之电压变化机构者。 图式简单说明: 图1为显示关于本发明第1实施形态的显示装置具 有的像素结构一例的电路图。 图2为显示图1所示的显示装置具备的电压变化部 的动作模拟结果的图表。 图3为显示关于本发明第2实施形态的显示装置具 有的像素结构一例的电路图。 图4为显示图3所示的显示装置的分时灰度机构一 例的时间图。 图5为显示关于本发明第3实施形态的显示装置具 有的显示基板结构一例的概略电路图。 图6为显示图5所示的显示基板具有的像素结构一 例的电路图。 图7为显示图5所示的显示装置具备的电压变化部 的动作模拟结果的图表。 图8为显示图5所示的显示装置的分时灰度机构一 例的时间图。 图9为显示关于本发明第4实施形态的显示装置具 有的像素结构一例的电路图。 图10为显示图9所示的显示装置的分时灰度机构一 例的时间图。 图11(a)为显示包含于图9所示的显示装置具有的像 素外图像记忆部的记忆胞结构一例的电路图。 图11(b)为显示包含于图11(a)所示的记忆胞的记忆电 路结构一例的部分电路图。 图12为显示关于本发明第5实施形态的显示装置具 有的像素结构一例的电路图。 图13为显示关于本发明第6实施形态的显示装置具 有的像素结构一例的电路图。 图14为显示关于本发明第7实施形态的显示装置具 有的像素结构一例的电路图。 图15为显示关于本发明第8实施形态的显示装置具 有的像素结构一例的电路图。 图16为显示关于本发明第9实施形态的显示装置具 有的像素结构一例的电路图。 图17(a)为显示关于本发明第10实施形态的显示装置 具有的像素结构一例的电路图。 图17(b)为显示包含于图17(a)所示的记忆胞的记忆电 路结构一例的部分电路图。 图17(c)为显示包含于图17(a)所示的记忆胞的电压变 化部结构一例的部分电路图。 图18为显示图17(a)-图17(c)所示的显示装置的分时灰 度机构一例的时间图。 图19为显示图9所示的显示装置具备的电压变化部 的动作模拟结果的图表。 图20为将DrTFT连接于变换电路的输出端子的电路图 。 图21为显示关于图1所示的电路更具备1个变换器的 结构的电路图。 |
