烘烤装置、热处理方法、半导体装置之制造方法及图案形成方法

摘要

本发明之实施之一形态的烘烤装置系具备：热板，其系对载置之基板进行热处理；台座，其系具有贯穿开口于上述热板的贯穿孔，并自背面支持上述热板上的基板之至少3支支持插栓，且设置成可上下移动；以及复数个感测器，其系分别配设于上述各支持插栓的前端部，并检测和基板的接触。此外，本发明之实施之一形态的图案形成方法系含有：形成反射防止膜和抗蚀膜于被处理基板上，并藉由在该抗蚀膜进行图案曝光、烘烤及显像处理而形成抗蚀图案(S01-S06)；在上述抗蚀图案形成后，测定特定之监控图案的尺寸(S07)；以由上述监控图案测定所取得之资讯为基础，控制加热处理上述抗蚀图案之条件，以上述抗蚀图案形成期望的尺寸之方式使其变形(S08-S013)。

主权项

1.一种烘烤装置,其具备: 热板,其系对所载置的基板进行热处理; 台座,其系具有贯穿开口于前述热板的贯穿孔,并 自背面支持前述热板上的基板之至少3支支持插栓 ,且设置成可上下移动;及 复数个感测器,其系分别配设于前述各支持插栓的 前端部,并检测和基板之接触。 2.如申请专利范围第1项之烘烤装置,其中前述复数 个感测器分别独立检测和基板之接触。 3.如申请专利范围第1项之烘烤装置,其中前述各感 测器系压电元件。 4.如申请专利范围第1项之烘烤装置,其中前述各感 测器系静电电容元件。 5.如申请专利范围第1项之烘烤装置,其中有关于在 热处理后,和藉由前述支持插栓支持基板时的前述 各感测器之基板的接触定时之时间差,当量测之前 述时间差超过预先任意地设定之容许値时,则判断 为检测出不良处理。 6.如申请专利范围第5项之烘烤装置,其中更具备警 报装置,其系在检测出不良处理时,发出视觉性或 听觉性之警报。 7.如申请专利范围第5项之烘烤装置,其中在检测出 不良处理时,中断动作。 8.如申请专利范围第5项之烘烤装置,其中在检测出 不良处理时,自制造步骤去除成为处理对象之基板 。 9.如申请专利范围第5项之烘烤装置,其中在热处理 前,预先量测和将基板移载于前述支持插栓上时的 前述各感测器之基板的接触定时之时间差,并使用 该时间差作为对热处理后所量测的前述时间差之 修正値。 10.如申请专利范围第1项之烘烤装置,其中前述台 座系能调整上升速度。 11.如申请专利范围第1项之烘烤装置,其中更具备 导引构件,其系在前述热板的中心部侧变低之倾斜 面加工上面,且配设于前述热板周缘部的一部份或 全部。 12.一种基板之热处理方法,其特征在于含有使用烘 烤装置进行对基板之热处理,而该烘烤装置系具备 : 热板,其系对所载置的基板进行热处理; 台座,其系具有贯穿开口于前述热板的贯穿孔,并 自背面支持前述热板上的基板之至少3支支持插栓 ,且设置成可上下移动;及 复数个感测器,其系分别配设于上述各支持插栓的 前端部,并检测和基板之接触。 13.一种半导体装置之制造方法,其特征在于含有使 用烘烤装置进行对半导体基板之热处理,而该烘烤 装置系具备: 热板,其系对所载置的基板进行热处理; 台座,其系具有贯穿开口于前述热板的贯穿孔,并 自背面支持前述热板上的基板之至少3支支持插栓 ,且设置成可上下移动;及 复数个感测器,其系分别配设于前述各支持插栓的 前端部,并检测和基板之接触。 图式简单说明: 图1A和图1B系表示半导体基板为载置于烘烤装置之 热板上的中央部之状态之平面图和侧面图。 图2A和图2B系表示半导体基板为自烘烤装置之热板 上的中央部偏离而载置之状态之平面图和侧面图 。 图3A和图3B系表示具备半导体基板的位置偏移防止 机构之烘烤装置的热板之平面图和侧面图。 图4系表示具备半导体基板冒出于导引构件而停止 之单边上扬之状态的半导体基板和热板之侧面图 。 图5系表示藉由半导体基板之单边上扬检测机构所 测定之热板的温度特性之曲线图。 图6系在热板的各设定温度表示半导体基板系正常 地载置于热板上而接触时之热板的温度下降量T 之曲线图。 图7A乃至图7D系表示习知之抗蚀剂图案形成方法之 概略截面图。 图8系表示测定习知之抗蚀剂的变形量,而在加热 处理时间进行回授之图案形成方法之概略截面图 。 图9A和图9B系表示本发明之第1实施形态之烘烤装 置的热板及其周边部之平面图和侧面图。 图10系表示本发明之第1实施形态之烘烤装置的一 连串动作之一过程之侧面图。 图11系表示本发明之第1实施形态之烘烤装置的一 连串动作之一过程之侧面图。 图12系表示本发明之第1实施形态之烘烤装置的一 连串动作之一过程之侧面图。 图13系表示本发明之第1实施形态之烘烤装置的一 连串动作之一过程之侧面图。 图14系表示本发明之第1实施形态之烘烤装置的一 连串动作之一过程之侧面图。 图15系表示在本发明之第1实施形态之烘烤装置当 中,产生半导体基板的上扬状态之侧面图。 图16系表示本发明之第2实施形态之图案形成方法 之流程图。 图17A和图17B系表示本发明之第2实施形态之加热处 理条件和抗蚀剂图案尺寸的关系之图示,特别是, 图17A系表示加热温度和抗蚀剂图案尺寸的关系之 图示,图17B系表示加热时间和抗蚀剂图案尺寸的关 系之图示。 图18系表示本发明之第2实施形态之抗蚀剂图案尺 寸的基板间的分布之图示。 图19系表示本发明之第3实施形态之图案形成方法 之流程图。 图20A和图20B系表示本发明之第3实施形态之热板之 图示,特别是,图20A系表示该加热器排列之平面图, 图20B系表示沿着图20A之A-A线而切断,且自箭头方向 所视之截面图。 图21A和图21B系表示藉由本发明之第3实施形态之热 板而使抗蚀剂产生变形的加热处理步骤之图示,特 别是,图21A系表示显像后的监控图案尺寸的基板面 内的分布之图示,图21B系表示热板的温度分布之图 示。 图22系表示本发明之第3实施形态之抗蚀剂图案尺 寸的基板面内的分布之图示。 图23A乃至图23C系表示本发明之第3实施形态的变形 例1之热板之图示,特别是,图23A系表示圆弧状的加 热器排列之平面图,图23B系表示圆弧状和环状的加 热器排列之平面图,图23C系表示环状的加热器排列 之平面图。 图24系表示使用本发明之第4实施形态之图案形成 方法的半导体装置的制造方法之流程图。