| 主权项 |
1.一种制造介电层之方法,其特征为多官能碳矽烷 之溶胶-凝胶产物进行热处理,其中该多官能碳矽 烷不具有任何Si-H键结。 2.如申请专利范围第1项之制造介电层的方法,其特 征为使用一或多种通式(I)化合物或其寡聚物作为 多官能碳矽烷: R14-iSi[(CH2)nSi(OR2)aR33-a]i (I) 其中 R1=烷基,芳基, i=2至4, n=1至10, R2=烷基、芳基, a=1至3且 R3=烷基、芳基, 其中,当a=1时,R2亦可为氢。 3.如申请专利范围第1项之制造介电层的方法,其特 征为使用一或多种通式(II)化合物或其寡聚物作为 多官能碳矽烷: 其中m=3至6, n=2至10, R4=烷基,芳基, 其中当b=1时,R4亦可为氢, b=1至3, R5=烷基,芳基, R6=C1-C6烷基或C6-C14芳基。 4.如申请专利范围第1项之制造介电层的方法,其特 征为使用一或多种通式(III)化合物或其寡聚物作 为多官能碳矽烷: Si[OSiR72(CH2)pSi(OR3)dR93-d]4 (III) 其中 R7=烷基,芳基, p=1至10, R8=烷基、芳基, 其中,当d=1时,R8亦可为氢, d=1至3, R9=烷基,芳基。 5.如申请专利范围第1项之制造介电层的方法,其特 征为该介电层系具有低于2.8之介电常数,以低于2.5 为佳。 6.如申请专利范围第1项之制造介电层的方法,其特 征为于溶胶-凝胶产物制造期间添加醇类、二醇类 、醚类或其混合物于该多官能碳矽烷中。 7.如申请专利范围第1项之制造介电层的方法,其特 征为于溶胶-凝胶产物制造期间添加挥发性有机或 无机酸于该多官能碳矽烷中。 8.如申请专利范围第1项之制造介电层的方法,其特 征为该溶胶-凝胶产物系藉展布、旋涂、浸涂或喷 雾方法施加于一基材上。 9.如申请专利范围第1项之制造介电层的方法,其特 征为该热处理系于标准炉具中、热板上、或曝露 于微波、IR光、雷射或其他能量电磁辐射下进行 。 10.如申请专利范围第1项之制造介电层的方法,其 特征为该热处理系于空气或氮中于200至600℃下进 行。 11.如申请专利范围第1项之制造介电层的方法,其 特征为该介电层于热处理之后具有孔隙度。 12.如申请专利范围第1项之制造介电层的方法,其 特征为将适当之高沸点溶剂、发泡剂或热变性成 份添加于该溶胶-凝胶产物中,以生成孔隙。 13.如申请专利范围第1项之制造介电层的方法,其 特征为在热处理之后,该介电层系进一步处理,以 将位于该表面上之羟基数量降低。 14.一种介电层,其可根据如申请专利范围第1至13项 中至少一项制得。 15.如申请专利范围第14项之介电层,其特征为该层 具有0.01至100微米之层厚。 16.如申请专利范围第14项之介电层,其系于制造极 大型积体微电子电路、晶片封装、制造多晶片模 组、及制造层积印刷电路板及显示器时作为介电 绝缘层。 |
