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发明名称 Non-volatile memory device having a charge trap layer and fabrication method thereof
摘要
申请公布号 KR100643542(B1) 申请公布日期 2006.11.10
申请号 KR20050021998 申请日期 2005.03.16
申请人 发明人
分类号 H01L27/115 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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