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ESD-Schutzstruktur (3) zum Schutz einer Schaltung vor elektrostatischen Entladungen mit einer zwischen zwei Versorgungspotentiale (VDD, VSS) zu schaltenden Reihenschaltung von N Dioden (4-6) mit jeweils einer Anode (8) und einer Kathode (9), wobei die Dioden (4-6) derart auf einem Halbleitersubstrat (7) angeordnet sind, dass ein räumlicher Abstand (d¶1¶) zwischen der Anode (8) einer ersten Diode (4) und der Kathode (9) einer N-ten Diode (6) der Reihenschaltung kleiner ist als ein maximaler Abstand (d¶2¶) zwischen der Anode (8) oder Kathode (9) einer ersten räumlich äußeren Diode der Reihenschaltung und der Anode (8) oder Kathode (9) einer zweiten räumlich äußeren Diode der Reihenschaltung. Dies kann z. B. dadurch erreicht werden, dass die erste (4) und die N-te Diode (6) benachbart angeordnet sind. Der im Vergleich zu einer herkömmlichen Diodenreihenschaltung verringerte Abstand (d¶1¶) zwischen der Anode (8) der ersten Diode (4) und der Kathode (9) der N-ten Diode (6) bewirkt, dass die zum Aufbau eines parasitären Entladungspfads (12) durch das Halbleitersubstrat (7) benötigte Zeit verringert und der Schutz vor kurzzeitigen Entladungen verbessert wird.
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