Planarisierung zur Kompensation von Film-unebenheiten nach STI-Oxid-Prozess

摘要

Ein Prozess bzw. ein Verfahren zur Kompensation von radialen Ungleichmäßigkeiten auf einem Wafer enthält die folgenden Schritte: Zentrieren einer rotationssymmetrischen Dicke-Unebenheit eines Films auf dem Wafer in Bezug auf die Achse des Spin-Suszeptors nach einem CMP-Prozess; Positionieren einer Düse in der Spin-Prozess-Einheit, um die Ätzlösung entlang eines Radius des Wafers zu richten; Anpassen des Flusses der Ätzlösung von der Düse; Anpassen der Rotationsgeschwindigkeit des Spin-Suszeptors, um die Aufenthaltszeit der Ätzlösung zu kontrollieren; und Koordinieren der Rotationsgeschwindigkeit des Spin-Suszeptors, des Flusses der Ätzlösung und der Positionierung der Düse, um die Entfernung von Material zu maximieren. Dieser Prozess kann angewendet werden, um wannenförmige Ungleichmäßigkeiten eines STI-Oxids zu kompensieren. Die Ungleichmäßigkeiten werden nach einem CMP-Prozess behandelt und ausgeglichen.