| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，其包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上并包含栅电极的半导体元件；在所述栅电极的栅极长度方向的截面中，在所述半导体衬底的形成所述半导体元件的区域的两侧形成的杂质扩散层；分别在所述杂质扩散层的表面形成的第一硅化物膜，其由第一金属的硅化物化合物构成；以及至少在所述栅电极的表面形成的第二硅化物膜，其由与第一金属不同的第二金属的硅化物化合物构成。所述第二金属的硅化物化合物具有比所述第一金属的硅化物化合物的硅化温度低的硅化温度。 | ||
| 申请公布号 | CN1858913A | 申请公布日期 | 2006.11.08 |
| 申请号 | CN200610079466.0 | 申请日期 | 2006.05.08 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 君冢直彦;今井清隆 |
| 分类号 | H01L29/772(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L21/335(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L29/772(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 梁晓广;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上并包含栅电极的半导体元件；在所述栅电极的栅极长度方向的截面中，在所述半导体衬底的形成所述半导体元件的区域的两侧形成的杂质扩散层；分别在所述杂质扩散层的表面形成的第一硅化物膜，其由第一金属的硅化物化合物构成；以及至少在所述栅电极的表面形成的第二硅化物膜，其由与所述第一金属不同的第二金属的硅化物化合物构成，其中，所述第二金属的所述硅化物化合物具有比所述第一金属的所述硅化物化合物的硅化温度低的硅化温度。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||