光电转换装置、图像传感器以及光电转换装置的制造方法

摘要

本发明提供一种光电转换装置，它包括：光电转换层，其被叠层在半导体基板上，并具有第1光电转换区、第2光电转换区和第3光电转换区；第2导电型的第1分割区，在上述第1光电转换区内，形成在距离上述光电转换层表面规定深度的位置上，并将该第1光电转换区分割成表层侧的第1表层侧区和上述半导体基板侧的第1基板侧区，具有连通上述第1表层侧区和上述第1基板侧区的连通孔；第2导电型的第2分割区，在上述第2光电转换区内，形成在与上述第1分割区深度几乎相同的位置或比上述第1分割区还要浅的位置上；以及，第2导电型的第3分割区，在上述第3光电转换区内，形成在比上述第2分割区还要浅的位置上。

主权项

1.一种光电转换装置，其特征在于，包括：第1导电型的光电转换层，叠层在半导体基板上；第2导电型的元件分离区，在该光电转换层内形成，沿所述半导体基板将该光电转换层分离成第1光电转换区、第2光电转换区和第3光电转换区；第2导电型的第1分割区，在所述第1光电转换区内，形成在距离所述光电转换层表面规定深度的位置上，将该第1光电转换区分割成表层侧的第1表层侧区和所述半导体基板侧的第1基板侧区，具有连通所述第1表层侧区和所述第1基板侧区的连通孔；第2导电型的第2分割区，在所述第2光电转换区内，形成在与所述第1分割区深度几乎相同的位置或比所述第1分割区还要浅的位置上，将该第2光电转换区分割成表层侧的第2表层侧区和所述半导体基板侧的第2基板侧区；以及，第2导电型的第3分割区，在所述第3光电转换区内，形成在比所述第2分割区还要浅的位置上，将该第3光电转换区分割成表层侧的第3表层侧区和所述半导体基板侧的第3基板侧区。