发明名称 |
用于评估半导体元件与晶片制造的技术 |
摘要 |
从晶片被部分被制造开始来分析晶片的制造。可以在晶片的晶粒的有源区中的多个位置上确定指定的性能参数值。所指定的性能参数通常表明制造中的特定的制造过程。然后,根据多个位置上的性能参数值的变化,获得评估信息。这可以被实现而不影响由晶粒产生的芯片的使用性。评估信息可用来评估一个或多个过程如何被执行,其中一个或多个过程包括由性能参数值所表现的特定的制造过程。 |
申请公布号 |
CN1860601A |
申请公布日期 |
2006.11.08 |
申请号 |
CN200480024673.5 |
申请日期 |
2004.08.25 |
申请人 |
陶-梅特里克斯公司 |
发明人 |
马吉德·阿迦巴扎德赫;乔斯·J·埃斯塔比尔;纳达尔·帕克达曼;加里·L·施泰因布吕克;詹姆斯·S·维克斯 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01);H01L23/544(2006.01);G01R31/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01) |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
余刚 |
主权项 |
1.一种用于评估晶片的至少一部分的制造的方法,所述方法包括:当所述晶片处于部分被制造状态时,在所述晶片的晶粒的有源区上的多个位置上,确定指定的性能参数的值,其中已知所述指定的性能参数表现出制造中的特定制造过程,以及基于在所述多个位置的所述性能参数的值的变化,获得评估信息,其中所述获得评估信息的步骤被执行而不影响由所述晶粒制造的芯片的可用性,以及其中所述评估信息是用于评估包括所述晶片的制造中的特定制造过程的一个或多个过程是如何被执行的。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |