| 发明名称 | 发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露了一种能在低驱动电压下工作，并且与传统的发光元件相比具有较长使用期的发光元件以及这种发光元件的制造方法。披露的发光元件在一对电极之间含有复合层；复合层中至少有一层含有选自半导体氧化物、金属氧化物的化合物以及具有较高空穴输送性质的化合物。这种发光元件能抑制含有一种选自半导体氧化物、金属氧化物的化合物以及具有较高空穴输送性质的化合物的层的结晶。由此，可以延长发光元件的使用寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN1860829A | 申请公布日期 | 2006.11.08 |
| 申请号 | CN200480027991.7 | 申请日期 | 2004.09.24 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 池田寿雄;坂田淳一郎 |
| 分类号 | H05B33/10(2006.01);H05B33/14(2006.01);H05B33/22(2006.01) | 主分类号 | H05B33/10(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 沙永生 |
| 主权项 | 1.发光元件，包含：在一对电极之间形成的层，其特征在于，该层含有选自半导体氧化物及金属氧化物的化合物，以及空穴迁移率大于或等于10-6cm2/Vs的化合物。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||