| 发明名称 | 有源矩阵显示装置 | ||
| 摘要 | 一种有源矩阵显示装置，其特征在于，该装置包括在衬底上形成的有源矩阵电路和驱动器电路；所述驱动器电路至少包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括：含有第一源/漏区、一对轻掺杂区及它们之间的第一沟道形成区的第一半导体层，以及隔着第一栅绝缘层邻接于所述第一沟道形成区的第一栅电极；所述第二薄膜晶体管包括：含有第二源/漏区及它们之间的第二沟道形成区的第二半导体层，以及隔着第二栅绝缘层邻接于所述第二沟道形成区的第二栅电极；其中：所述第二沟道形成区与所述第二源/漏区直接接触，含n型杂质与p型杂质的一对区段分别邻接于所述第二源/漏区而形成，且所述一对区段中至少有一个与电极连接。 | ||
| 申请公布号 | CN1284241C | 申请公布日期 | 2006.11.08 |
| 申请号 | CN200310124529.6 | 申请日期 | 1997.02.09 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;福永健司 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L29/786(2006.01);G02F1/136(2006.01);G02F1/1362(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 叶凯东 |
| 主权项 | 1.一种有源矩阵显示装置，其特征在于，该装置包括在衬底上形成的有源矩阵电路和驱动器电路；所述驱动器电路至少包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括：含有第一源/漏区、一对轻掺杂区及它们之间的第一沟道形成区的第一半导体层，以及隔着第一栅绝缘层邻接于所述第一沟道形成区的第一栅电极；所述第二薄膜晶体管包括：含有第二源/漏区及它们之间的第二沟道形成区的第二半导体层，以及隔着第二栅绝缘层邻接于所述第二沟道形成区的第二栅电极；其中：所述第二沟道形成区与所述第二源/漏区直接接触，含n型杂质与p型杂质的一对区段分别邻接于所述第二源/漏区而形成，且所述一对区段中至少有一个与电极连接。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||