| 发明名称 | 减少闪烁的图像传感器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种减少闪烁的图像传感器及其制备方法，图像传感器包括有源像素阵列和连接到所述有源像素阵列的控制电路。有源像素阵列包括多个第一栅极介电层，控制电路包括多个第二栅极介电层，其中第一栅极介电层是等离子氮化的氧化硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN1858912A | 申请公布日期 | 2006.11.08 |
| 申请号 | CN200610075339.3 | 申请日期 | 2006.04.10 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 柳政澔;李德炯;郑熙根;严甲成 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/51(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种图像传感器，包括有源像素阵列和连接到所述有源像素阵列的控制电路，所述有源像素阵列包括多个第一栅极介电层，所述控制电路包括多个第二栅极介电层，其中所述第一栅极介电层是等离子氮化的氧化硅层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||