| 发明名称 | 用于硅腐蚀的四甲基氢氧化铵腐蚀液及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于硅腐蚀的四甲基氢氧化铵腐蚀液(TMAH)及制备方法，本发明用10wt％TMAH腐蚀液，在60℃温度下，溶入1.5～1.75摩尔/升硅粉，再升温到90℃，溶入3.0～5.0克/升过硫酸铵，1.0～2.0克/升吡嗪，溶解后得到所要求的四甲基氢氧化铵腐蚀液(TMAH)腐蚀液。该腐蚀液对硅(100)面有约1μm/min的腐蚀速率，铝膜不被腐蚀，同时被腐蚀硅表面平整。实验检验得到腐蚀后的铝膜表面同硅铝丝键合良好。可以认为，本腐蚀工艺实现了同CMOS工艺的完全兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN1283836C | 申请公布日期 | 2006.11.08 |
| 申请号 | CN200410017032.9 | 申请日期 | 2004.03.18 |
| 申请人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明人 | 司俊杰;马斌 |
| 分类号 | C23F1/32(2006.01) | 主分类号 | C23F1/32(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1.一种用于硅腐蚀的四甲基氢氧化铵腐蚀液，其特征在于：包括10wt％四甲基氢氧化铵腐蚀液，溶于四甲基氢氧化铵腐蚀液的1.5～1.75摩尔/升硅粉，3.0～5.0克/升过硫酸铵，1.0～2.0克/升吡嗪。 | ||
| 地址 | 200083上海市玉田路500号 | ||