| 发明名称 | MOS晶体管栅角的增强氧化方法 | ||
| 摘要 | 本申请提供了一种在不显著增加整个加工方案的热预算的情况下增强晶体管栅角氧化速率的方法，具体地说，本发明的方法包括：将离子注入到含Si晶体管的栅角中，将包括被注入的晶体管栅角的晶体管暴露于氧化环境。该注入步骤中采用的离子包括：Si；非氧化抑制离子例如O、Ge、As、B、P、In、Sb、Ga、F、Cl、He、Ar、Kr、Xe；及它们的混合物。 | ||
| 申请公布号 | CN1284214C | 申请公布日期 | 2006.11.08 |
| 申请号 | CN01823254.X | 申请日期 | 2001.12.27 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | O·多库马丝;O·格鲁斯臣科夫;S·G·赫德杰;R·卡普兰;M·克哈尔 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蔡胜有 |
| 主权项 | 1.一种用于氧化晶体管栅角的方法，包括步骤：(a)将离子注入到含Si晶体管的栅角中，其中所述离子选自由非氧化抑制离子、Si离子及其混合物构成的组，和(b)将包括被注入的晶体管栅角的含Si晶体管暴露于氧化环境。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||