| 发明名称 | 薄膜晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管，包括栅极、栅绝缘层、半导体层以及源极/漏极。栅极设置于基底上，其中，栅极包括至少一层氮化铝钇合金。栅绝缘层形成于基底上以覆盖栅极。半导体层设置于基底上之栅绝缘层上。源极/漏极设置于半导体层上。本发明之薄膜晶体管具有较低接触电阻或线电阻的栅极与源极/漏极。 | ||
| 申请公布号 | CN1858915A | 申请公布日期 | 2006.11.08 |
| 申请号 | CN200510068276.4 | 申请日期 | 2005.05.08 |
| 申请人 | 中华映管股份有限公司 | 发明人 | 曹文光;许泓译;钟享显;陈敏煌 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01);G02F1/1368(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王永红 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管，其特征在于包括：栅极，置于基底上，其中该栅极包括至少一层氮化铝钇(Al-Y)合金；栅绝缘层，形成于该基底上，以覆盖该栅极；半导体层，设置于该栅极上之该栅绝缘层上；以及源极/漏极，设置于该半导体层上。 | ||
| 地址 | 台湾省台北市中山北路三段二十二号 | ||