| 发明名称 | 薄膜型共态扼流圈及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜型共态扼流圈，包括：具有一磁基板的叠层结构；在厚度方向上层叠在所述磁基板上的电绝缘层和导线层；其中所述导线层形成至少两个线圈导线；至少两个所述导线层设置为螺旋导线图形；并且所述螺旋导线图形满足公式：5μm≤W1≤36μm；其中W1代表每一所述螺旋导线图形的导线宽度。 | ||
| 申请公布号 | CN1858864A | 申请公布日期 | 2006.11.08 |
| 申请号 | CN200610074684.5 | 申请日期 | 2004.02.26 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 伊藤知一;工藤孝洁;大友诚 |
| 分类号 | H01F17/00(2006.01);H01F41/00(2006.01) | 主分类号 | H01F17/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 廖凌玲 |
| 主权项 | 1.一种薄膜型共态扼流圈，包括：具有一磁基板的叠层结构；在厚度方向上层叠在所述磁基板上的电绝缘层和导线层；其中，所述导线层形成至少两个线圈导线；至少两个所述导线层设置为螺旋导线图形；并且所述螺旋导线图形满足公式：5μm≤W1≤36μm其中W1代表每一所述螺旋导线图形的导线宽度。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||