| 发明名称 | 高性能应变互补金属氧化物半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件和制造方法，该半导体器件和制造方法提供具有带突悬的浅槽隔离的n沟道场效应晶体管(nFET)，该突悬在与电流方向平行的方向上及在与电流横贯的方向上突悬在Si－SiO<SUB>2</SUB>界面上。所述器件和方法还提供具有带突悬的浅槽隔离的p沟道场效应晶体管(pFET)，该突悬在与电流横贯的方向上突悬在Si－SiO<SUB>2</SUB>界面上。但是，用于该pFET的所述浅槽隔离在与电流方向平行的方向上没有突悬。 | ||
| 申请公布号 | CN1860602A | 申请公布日期 | 2006.11.08 |
| 申请号 | CN200480028475.6 | 申请日期 | 2004.10.15 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 布鲁斯·B·多丽斯;奥利格·G·格卢申科夫 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01) | 主分类号 | H01L21/76(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种形成在衬底上的半导体结构，包括具有至少一个突悬的浅槽隔离，所述突悬被选择性配置来防止所述衬底的确定部分中氧化引起的应力。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||