| 发明名称 | 具有形成在硅区域中的镍/钴硅化物区域的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明通过在譬如场效应晶体管栅极电极的含硅区域中形成掩埋的硅化镍层(260A)，接着形成硅化钴层(261A)，而可结合两种硅化物的极优特性，以便提供进一步按比例缩小器件的潜力，而不会不适当地损害经按比例缩小的硅电路特征的薄层电阻和接触电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN1860589A | 申请公布日期 | 2006.11.08 |
| 申请号 | CN200480028522.7 | 申请日期 | 2004.09.17 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | T·卡姆勒;K·维乔雷克;A·弗伦克尔 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01) | 主分类号 | H01L21/285(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：在形成于衬底(201)上的含硅区域(202，208)之上形成包含金属钴(241)和金属镍(242)的层(240)；于第一温度对该衬底(201)进行热处理，以使镍(242)和钴(241)在该含硅区域(208，202)中与硅反应而形成硅化物(260，261，270，271)；从该衬底(201)选择性地将未反应的镍和钴去除；以及于第二温度对该衬底(201)进行热处理，该第二温度高于该第一温度，以改变在该第一温度的该热处理期间所形成的该硅化物。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||