| 发明名称 | 自对准同轴通路电容器 | ||
| 摘要 | 本发明同轴电容器的各种实施例是自对准的且形成于通路中，通路包括盲通路、埋入式通路和镀通孔。所述同轴电容器被设置成利用镀通路的镀层(125)作为第一电极。形成介电层(130)来覆盖第一电极(125)，且使一部分通路未被填充。将第二电极(135)形成于未被介电层(130)填充的通路部分中。这类同轴电容器适用于去耦和功率阻抑应用，以降低信号和电源的噪声和/或减少电子器件中功率的过冲及下降。在这些应用中，通常需要把多个同轴电容器，往往是数以千计，相并连以得到所需的电容量。 | ||
| 申请公布号 | CN1284428C | 申请公布日期 | 2006.11.08 |
| 申请号 | CN00819235.9 | 申请日期 | 2000.12.07 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | K·查克拉沃尔蒂;T·多里;C·M·加纳 |
| 分类号 | H05K1/16(2006.01);H01L23/64(2006.01) | 主分类号 | H05K1/16(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京;黄力行 |
| 主权项 | 1、一种电容器，包括：具有侧壁的通路，所述侧壁由衬底确定并从衬底的第一表面延伸至衬底的第二表面，其中所述第一表面从所述侧壁向外延伸；完全覆盖所述通路的侧壁以及覆盖所述衬底第一表面的至少一部分的第一电极；介电层，其被形成为覆盖第一电极的至少第一部分，并使所述通路的剩余部分未被填充，其中第一电极的第一部分位于所述侧壁之内；形成于所述通路的所述剩余部分内的第二电极，该第二电极完全填满所述通路，使得连接至该第二电极的外部触点在通路的外侧处于邻近所述第一表面的衬底上的一层上，以连接至电子元件，其中第一电极、第二电极和介电层被配置成具有圆柱形结构的自对准同轴电容器。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||