| 发明名称 | 带有荧光变换元件的辐射半导体组件及其生产方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及配有荧光变换元件(7)的辐射半导体组件，其中半导体(3)被安置在基体(1)的一个凹穴中。在该凹穴中，围绕半导体地形成一个盆状区域，该盆状区域容纳荧光变换元件(7)，该荧光变换元件包封着半导体(3)。该盆状区域被制成在凹穴内的凹槽的形状，或者被制成在凹穴底面上的环形围边(6)的形状。 | ||
| 申请公布号 | CN1284249C | 申请公布日期 | 2006.11.08 |
| 申请号 | CN01808729.9 | 申请日期 | 2001.04.26 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | H·布伦纳;A·德布雷;H·耶格;G·维特尔 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 胡强;赵辛 |
| 主权项 | 1.辐射半导体组件，它有一个其中设有一凹穴的基体(1)、至少一个半导体(3)和一个荧光变换元件(7)，其特征在于：该凹穴具有一个成分开的盆状的局部区域，在该区域中设置着半导体(3)并且该区域被填充上荧光变换元件(7)，其中荧光变换元件(7)具有一个使该盆状局部区域与凹穴的其余内腔分界的界面，该基体(1)是借助注塑法或压注法形成的。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||