发明名称 疏水膜及其制造方法、使用该膜的喷墨头和喷墨式记录装置
摘要 一种在固体基材(2)上形成的疏水膜(1),其含有在两末端有至少一个以上的硅氧烷键(-Si-O-)且在中间部含烃链的分子(A)、和在一个末端有氟化碳链且在另一个末端有至少一个以上的硅氧烷键(-Si-O-)的分子(B),且由上述分子(A)和上述分子(B)形成聚合物膜。该聚合物膜与基材表面通过硅氧烷键(-Si-O-)共价键合,表面被疏水性高的氟化碳链覆盖,因此防止碱离子的侵入。据此,提供具有即使长时间接触碱性的墨也不被破坏的疏水膜的喷墨头和喷墨式记录装置。
申请公布号 CN1283372C 申请公布日期 2006.11.08
申请号 CN02807886.1 申请日期 2002.04.01
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 中川徹;樋渡竜也
分类号 B05D7/24(2006.01);C09K3/18(2006.01);C09D5/16(2006.01);C09D185/00(2006.01);C09D183/08(2006.01);B05D5/00(2006.01);B41J2/135(2006.01);B32B27/00(2006.01) 主分类号 B05D7/24(2006.01)
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 陈建全
主权项 1.一种在固体基材上形成的疏水膜,其含有:在两末端有至少一个以上的硅氧烷键且在中间部含苯环的由下述化学式表示的重复单元(A)、和在一个末端有氟化碳链且在另一个末端有至少一个以上的硅氧烷键的重复单元(B),且至少由所述重复单元(A)和所述重复单元(B)形成聚合物膜,-OSi(R1R2)(CH2)tC6H4(CH2)uSi(R3R4)O- (A)其中,R1,R2,R3,R4是甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、羟基、或作为硅氧烷键的构成要素的氧,t、u为1-10的自然数。
地址 日本大阪