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发明名称 Method of forming inter-layer dielectric in a semiconductor device
摘要
申请公布号 KR100642460(B1) 申请公布日期 2006.11.06
申请号 KR20000082107 申请日期 2000.12.26
申请人 发明人
分类号 H01L21/3105 主分类号 H01L21/3105
代理机构 代理人
主权项
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