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发明名称 Herstellungsverfahren für einen Grabenkondensator mit einem Isolationskragen, der über einen vergrabenen Kontakt einseitig mit einem Substrat elektrisch verbunden ist, insbesondere für eine Halbleiterspeicherzelle
摘要
申请公布号 DE10337562(B4) 申请公布日期 2006.11.02
申请号 DE20031037562 申请日期 2003.08.14
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 SCHOLZ, ARND
分类号 H01L21/8242;H01L21/334;H01L29/94 主分类号 H01L21/8242
代理机构 代理人
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