Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement mit Graben,申请号DE1995634888T-传众专利搜索

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发明名称	Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement mit Graben
摘要
申请公布号	DE69534888(T2)	申请公布日期	2006.11.02
申请号	DE1995634888T	申请日期	1995.04.03
申请人	DENSO CORP.	发明人	HARA, KAZUKUNI;TOKURA, NORIHITO;MIYAJIMA, TAKESHI;FUMA, HIROO;KANO, HIROYUKI
分类号	H01L29/78;H01L21/04;H01L21/336;H01L29/24;H01L29/423	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
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