应用于互补式金氧半导体制程之混合型应变的侧壁间隙壁

摘要

一种半导体装置与其制造方法。金氧半导体(MOS)装置沿着其闸极电极之侧壁间隙壁制造，以便于在侧壁间隙壁之本质应力的方向与产生在通道中的应力方向相反。本发明之一实施例至少包含选择性地图案化压缩应力层以形成NMOS电极侧壁间隙壁，其中此压缩的NMOS电极侧壁间隙壁在NMOS通道中产生拉伸应力。本发明之另一实施例至少包含选择性地图案化拉伸应力层以形成拉伸的PMOS电极侧壁间隙壁，其中此PMOS电极侧壁间隙壁在PMOS通道中产生压缩应力。本发明之又一实施例提供具有应变之侧壁间隙壁的半导体装置。