| 摘要 |
本发明关于一种发光装置，其包括：一GaN基板1；一n型氮化物半导体层(n型AlxGa1–xN层3)，其系置放于该GaN基板1之一第一主要表面侧上；一p型氮化物半导体层(p型AlxGa1–xN层5)，其系置放成与该n型氮化物半导体基板层相比离该GaN基板1更远；以及一发光层(多量子井(multiquantumwell；MQW)4)，其系定位于该n型氮化物半导体层与该p型氮化物半导体层之间。该p型半导体层侧系向下安装。并且从一第二主要表面1a释放光，其中该主要表面与该GaN基板1之第一主要表面相对。在该GaN基板1之第二主要表面上形成一沟槽80。该沟槽80之内部周边表面包括一区段(弯曲表面区段)，在该区段上执行表面处理以使得该内部周边表面变平滑。 |
