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经营范围
发明名称
包括失效单元校正电路之非挥发性铁电记忆体装置
摘要
本发明揭示一种包括一失效单元校正电路以便有效地处理随机分布的单元资料之非挥发性铁电记忆体装置。该非挥发性铁电记忆体装置检查一主记忆体单元阵列之水平同位且将该同位储存于一水平同位检查单元阵列中,并检查一主记忆体单元阵列之垂直同位且将该同位储存于垂直同位检查单元阵列中。然后,将储存于该水平同位检查单元阵列与该垂直同位检查单元阵列中的编码资料与该主记忆体单元之感测资料相比较,以校正一错误资料。因此,校正在一预定行内随机产生之一1位元故障。
申请公布号
TW200638423
申请公布日期
2006.11.01
申请号
TW095101115
申请日期
2006.01.11
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
姜熙福;安进弘
分类号
G11C11/22(2006.01)
主分类号
G11C11/22(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
韩国
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