| 摘要 |
本发明系提供一种记忆体装置，包括一记忆单元，一参考结构，以及一感测装置。该记忆单元包括一MR元件与一传递电晶体。该传递电晶体，参考电路，以及该感测装置系连接至一输入节点。该记忆单元之逻辑态可藉由一读取操作而侦测得到，其中该读取操作系利用该感测装置感测该输入节点之电压而达成。该输入节点之电压系依据该MR元件之状态而改变。该参考结构提供一电压压降，因此可允许该记忆单元之读取电压增加，从而使读取时间减少。在一些实施例中，该MR元件可包括一介于两个电极层间之磁性穿隧接面。该等电极层当中之一系连接至一位元线，另一个则连接至该传递电晶体。 |
